Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Toshiba Electronics Europe

MOSFETs im neuen Gehäuse und sehr niedrigem Widerstand

Toshiba Electronics Europe erweitert sein Angebot an Leistungs-MOSFETs für die Automobilelektronik. Der TK1R5R04PB ist der erste Baustein im neuen D2PAK+-Gehäuse, das einen äußerst geringen Widerstand bietet.

OptiMOS-Portfolio erweitert

150-V-MOSFET reduziert Durchlasswiderstand und Sperr-Erholladung

Infineon stellt mit dem OptiMOS 5 150 V einen neuen MOSFET der 5. Generation seiner…

Für IGBT- und SiC-MOSFET-Treiber

DC/DC-Wandler für robustere Leistungsstufen

Neben IGBTs werden in der Leistungselektronik für anspruchsvollere Aufgaben vermehrt…

ExoMars-Mission der ESA

Infineon-Halbleiter auf dem Weg zum Mars

Gestern sollte der erste »Botschafter« Europas auf dem Mars landen. An Bord der Sonde…

Rohm

SiC für Rennwagen

Weniger Gewicht, kleinere Bauform, geringerer Energieverbrauch, höhere Leistungsdichte und…

Roadmap für HF-Leistungsverstärker

HF-Leistungshalbleiter für Haushaltsgeräte

Wird Mikrowellen-Energie zum Erhitzen angewendet, so werden überwiegend Magnetrone als…

Von GaAs zu GaN

Die Entwicklung von HF-und Mikrowellen-Halbleitern

Für Hochfrequenz- und Mikrowellen-Anwendungen sind besonders Galliumarsenid (GaAs) und…

Marktstudie von Yole Développement

Die GaN-Halbleiterindustrie ist Fast & Furious

Nach so manchen Höhen und Tiefen ist Galliumnitrid am Markt angekommen. Marktforscher von…

X-Fab

Kauf der Vermögenswerte von Altis Semiconductor

Im Rahmen eines Insolvenzverfahrens wird die X-Fab-Silicon-Foundries-Gruppe die…

Für Low-Voltage-Anwendungen

Effiziente N-Kanal-MOSFETs mit 40 V

Seine U-MOS-IX-H-MOSFETs ergänzt Toshiba um zwei neue 40-V-N-Kanal-Typen. Der TK31E04PL im…