Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Fraunhofer IAF

Galliumnitrid-Schaltungen monolithisch integriert

Aus GaN lassen sich nicht nur außergewöhnliche Einzelschalter fertigen. Da sich durch ihre laterale Struktur weitere Schaltungsteile monolithisch integrieren lassen, steigt auch der Funktionsumfang der Bauteile.

Interview mit Ulrich Ermel, COG

»Obsolescence Management ist auch Chefsache«

Die Voraussetzung für ein nachhaltiges Obsolescence Management über die Supply Chain…

Definition von Schottky-Dioden

Die Basis muss die Verlustleistung sein!

Weil tragbare Anwendungen immer ausgereifter werden und Endverbraucher längere…

CoolSiC-MOSFETs

Schritt für Schritt SiC-Designs etablieren

Um SiC für eine Vielzahl von Anwendungen wie Solarwechselrichter, USVs und Ladesysteme…

EMEA-weite Vertriebsvereinbarung

Maxim holt EBV an Board

Mit EBV hat Maxim sein Distributorennetz erweitert und ein Schwergewicht der…

Rohm-President Satoshi Sawamura

»Europa gibt wichtige Wachstumsimpulse«

Eine Besonderheit von Rohm Semiconductor ist die hohe Fertigungstiefe. Wie sie zum Erfolg…

Passive Bauelemente

Magnetics für GaN und SiC

Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) verdienen das…

Globalfoundries Alternative

FD-SOI: Preiswerte Alternative zu FinFET

Geht es um maximale Rechenleistung und Energieeffizienz, führt an teuren FinFET-Chips kein…

Panasonic

Spezielles Treiber-IC für GaN-Transistoren

Zur electronica startet Panasonic mit der Massenfertigung von speziellen Treiber-ICs für…

Leistungsdichte und Effizienz verbessern

SiC-Halbleiterprodukte in der Anwendung

Welche Siliziumkarbid-Produkte gibt es derzeit am Markt und was muss bei der Auswahl des…