Produkt

Verbesserter Wirkungsgrad

Sechste CoolSiC-Schottky-Dioden-Generation mit 650 V

Die CoolSiC-Schottky-Diode 650 V G6 ist das neueste Mitglied der CoolSiC-Diodenfamilie von Infineon. Für die Entwicklung der sechsten CoolSiC-Dioden-Generation hat Infineon ein neues Layout, eine neue Zellstruktur und ein neues proprietäres…

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2017

Neue Source-Struktur macht SiC-MOSFETs robuster und effizienter

Entwickler von SiC-MOSFETs müssen zwischen Kurzschlussfestigkeit und Einschaltwiderstand…

Solid State RF Energy

»Die Preise sinken bereits!«

Solid State RF Energy steht unmittelbar vor dem Einsatz. Die RF Energy Alliance sorgt für…

Solid State RF Energy für Motoren

HF-Zündsysteme geben Mini-BHKWs Schwung

Solid State RF Energy ermöglicht völlig neue Zündsysteme, die sehr viel effizienter und…

Disruptive Technologie RF Energy

Der Milliarden-Markt von morgen

RF Energy-Technologie durchdringt ständig neue Anwendungsbereiche, vom Kochen und Heizen…

Newport Wafer Fab

Infineon verkauft Produktionsstandort an Neptune 6

Infineon verkauft seinen Produktionsstandort Newport an das Privatunternehmen Neptune 6.…

Ab sofort Vorschläge einreichen!

Call for Papers für die PCIM Asia

Der Call for Papers der PCIM Asia 2018 ist eröffnet. Bis spätestens 30. November 2017…

Ermöglicht Tastverhältnis bis 100 %

MOSFET-Treiber von Linear Technology

Beim LTC7004 von Linear Technology handelt es sich um einen…

Das Potenzial jetzt umsetzen

RF Energy revolutioniert die Plasmatechnik

Die neue Solid-State-RF-Energy-Technik wird neue Operationsmethoden ermöglichen,…

JEDEC-Ausschuss gebildet

Standardisierung bei GaN und SiC

Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) sind die am weitesten ausgereiften…