Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

CoolSiC-MOSFETs 3300 V

Infineon für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

Infineon Technologies ist für die Entwicklung eines MOSFETs auf SiC-Basis für den Deutschen Zukunftspreis 2024, den Preis des Bundespräsidenten für Technik und Innovation, nominiert.

Infineon: »an industry game-changer«

World’s first 300 mm power GaN technology

Infineon Technologies announced that the company has succeeded in developing the world’s…

Durchbruch bei Infineon

GaN auf 300-mm-Wafern

Infineon Technologies ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid…

ROHM/UAES

Long-Term Supply Agreement for SiC Power Devices

ROHM and United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., (UAES), a leading Tier 1…

Forschung für Satellitenkommunikation

GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker

Im Projekt »Magellan« entwickeln Forschende des Fraunhofer IAF gemeinsam mit UMS und TESAT…

Integration in Traktionswechselrichtern

Rohm SiC-MOSFETS in EV-Modellen des ZEEKR von Geely

Rohm stellt Leistungsmodule mit SiC-MOSFET-Chips der 4. Generation für die Produktion von…

Vishay

MOSFET-Treiber für hohe Temperaturen

Seit kurzem sind bei Rutronik die Power MOSFETs der Vishay E-Serie SIHD180N60ET4-GE3…

Accelerate growth in China

Wise-integration Creates Subsidiary in Hong Kong

Wise-integration, a French pioneer in digital control of gallium nitride (GaN) and GaN ICs…

Industrielles Elektronikdesign

Galvanische Isolation sicher, schnell und kompakt

In zahlreichen Anwendungen sind Schaltungen für Hoch- und Niedervoltspannungen zuverlässig…

Thermische Modellierung

Nennstrom applikationsabhängig bestimmen

Eine Bestimmung des Nennstroms für Leistungsinduktivitäten in einer Anwendung erlaubt eine…