Neues Halbleitermaterial
AlYN für energieeffizientere und leistungsfähigere Elektronik
Mit Aluminiumyttriumnitrid (AlYN) ist es Forschern des Fraunhofer-Instituts IAF im Sommer gelungen, ein neues, vielversprechendes Halbleitermaterial mit dem MOCVD-Verfahren herzustellen und zu charakterisieren.