Produkt

STMicroelectroncis

600-W-Dreiphasen-Gatetreiber mit Smart-Shutdown-Funktion

Der Dreiphasen-Gatetreiber STDRIVE601 von STMicroelectronics für 600-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs und IGBTs ist gegen negative Spannungsspitzen bis -100 V ausgelegt und reagiert auf Spannungspegeländerungen am Logikeingang innerhalb von 85 ns.

Polish Institute of Nuclear Physics

Modeling SiC Crystal Defects

Imperfections of crystal structure deeply modify basic properties of the entire material…

Ferdinand Braun Institute

Gallium-Oxide Power MOSFET Handles 155 MW/cm²

The Ferdinand Braun Institute has developed a lateral power transistor that achieves a…

Ferdinand-Braun-Institut

Galliumoxid-MOSFET bewältigt 155 MW/cm²

Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen lateralen Leistungstransistor entwickelt, der bei…

USB-C-Power Delivery-Lösung

Microchip Bausteine vereinfachen USB-C PD-Umsetzung

Mit zwei neuen Bausteinen für USB-C PD-Designs ermöglicht Microchip Entwicklern die…

nanoPower Echtzeituhr MAX31341B

Verlängert die Akkulaufzeit in Wearables

Maxim Integrated präsentiert seine neue nanoPower Echtzeituhr. Der Baustein MAX31341B…

Cree und ON Semiconductor

Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Nach Infineon, einem namentlich nicht genannten Unternehmen sowie STMicroelectronics hat…

Showa Denko / SiC-Epitaxiewafer

Defektdichte halbiert

»HGE-2G« heißt die zweite Generation von hochwertigen 150-mm-Epitaxiewafern aus…

Gegen negativen Markttrend

Infineon wächst weiter

Während die Konkurrenz mehr oder weniger schwächelt, konnte der deutsche…

Große Übersicht

Die Köpfe der Halbleiterbranche

In der Reihe "Köpfe der Elektronikbranche" stellt die Markt&Technik prominente…