Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Infineon und Lingji unterzeichnen MoU

GaN-Wechselrichter für leichte E-Fahrzeuge

Infineon Technologies und Lingji Innovation Technology haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding: MoU) unterzeichnet, deren Ziel es ist, GaN-Wechselrichter für leichte E-Fahrzeuge zu entwickeln.

iDEAL Semiconductor

Erstes Produkt der 200-V-SuperQ-MOSFET-Familie

Zeitgleich zum Beginn der Massenproduktion des ersten Produkts seiner...

Power Integrations unter neuer Führung

Balu Balakrishnan: »Mit 70 sollte man es als CEO gut sein lassen«

Seit 2002 führte Balu Balakrishnan Power Integrations. In der Halbleiterbranche eine...

Cambridge GaN Devices

Industrieveteran Robin Lyle wird VP für Forschung und Entwicklung

Cambridge GaN Devices holt mit Robin Lyle als Vice President für Forschung und...

Infineon Technologies

Erweiterung der OptiMOS-6-Familie

Mit steigender Elektrifizierung der Fahrzeuge wächst der Bedarf an hocheffizienten,...

Bidirektionale GaN-Schalter über 600 V

»Humanoide Roboter sind eine faszinierende GaN-Anwendung«

Wer die Geschichte von International Rectifier kennt und damit sowohl die seines Vaters...

Infineon/Delta

Partnerschaft für hochdichte Leistungsmodule

Infineon Technologies und Delta Electronics bauen ihre bestehende Zusammenarbeit bei...

Data Center Power Architecture

Infineon and Delta collaborate on high-density power modules

Infineon Technologies announced the strengthening of its existing collaboration with...

Landgericht München I hat entschieden

Infineon gewinnt Patentverfahren gegen Innoscience

Das Landgericht München I hat in einem Patentverletzungsverfahren zwischen Infineon und...

EliteSiC basierter PHEV-Plattform

onsemi und Schaeffler erweitern Zusammenarbeit

onsemi weitet die Zusammenarbeit mit dem Automobil- und Industriezulieferer Schaeffler...