Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Aerospace/Defense/5G

GaN-on-SiC-Leistungsverstärker für höchste Ansprüche

Es gibt Anwendungen, die extrem hohe Anforderungen an die genutzten Leistungsverstärker mit sich bringen. GaN on SiC hat die höchste Leistungsdichte, um eine hohe lineare Ausgangsleistung bei einem hohem Wirkungsgrad zu erzeugen – genau das richtige…

Leistungsdichte bis zu 140 W/Inch3

400-V-CoolSiC-MOSFETs eröffnen hohe Effizienz

Um KI-Server- und Telekommunikationsnetzteile mit Ausgangsleistungen von 5,5 bis 8 kW zu…

WEKA Ad Award 2024

Die besten Motive der Elektronik-Branche

Lassen Sie sich von diesen beeindruckenden Beispielen inspirieren und erfahren Sie mehr…

Toshiba Electronics Europe

Jetzt steht dem Erfolg nichts mehr im Weg

Toshiba hat bewegte Zeiten hinter sich, auch im Halbleitersegment. Armin Derpmanns, Vice…

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder…

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 1: Unerwartet holprige Geschäftsentwicklung

In den letzten Jahren war der Boom der Leistungshalbleiter ungebrochen, die jährlichen…

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V…

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und…

Verpresste Spulen

Spannungsspezifikation steigert Zuverlässigkeit

Steigende Stromdichten und kurze Schaltzeiten in MOSFETs führen zu höheren Anforderungen…

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer…