Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Weltweiter Anstieg des Energieverbrauchs

Wie Siliziumkarbid die Energiesysteme verändert

Siliziumkarbid (SiC) ermöglicht eine Verringerung der Energieverluste über mehrere Umwandlungsstufen hinweg. Sein hoher Wirkungsgrad führt zu geringeren Energieverlusten, einer geringeren Wärmeentwicklung und damit letztlich zu einem geringeren Kühlungsbedarf in den verschiedensten Applikationen.

Infineon Technologies

GaN transistor product family with integrated Schottky diode

Infineon Technologies has introduced the world’s first gallium nitride (GaN) power...

Infineon Technologies

Erste GaN-Transistorfamilie mit integrierter Schottky-Diode

Infineon Technologies hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren...

Europa stärken

X-FAB entwickelt GaN-Power-Plattform mit IQE

X-FAB hat mit IQE, Hersteller von Wafern aus Verbindungshalbleitern, ein Joint...

onsemi verbessert Position durch Zukäufe

Klarer Fokus auf Leistungselektronik

Strategische Zukäufe stärken onsemi im SiC-Markt. Gleichzeitig eröffnet der...

Leistungselektronikindustrie

Wachstum, Herausforderungen und strategische Veränderungen

Leistungselektronik war bislang eine Domäne weniger Hersteller. Inzwischen drängt China...

Neuer Name für Medien- und Eventanbieter

Aus WEKA Fachmedien GmbH wird Componeers GmbH

Seit dem 1. Januar 2025 gehört die WEKA Fachmedien GmbH zur NürnbergMesse-Familie. Der...

Wo GaN möglich ist, gehört GaN auch hin

Wie die GaN-Welle ins Rollen kommt

SiC vs. GaN vs. SJ MOSFETs vs. IGBTs? Jede Technologie hat ihren Platz, deshalb...

Hohe Wärmeableitung

650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse

Rohm hat mit dem GNP2070TD-Z einen 650-V-GaN-HEMT im TOLL-Gehäuse (TO-LeadLess)...

Aus der Fab in Villach

Infineon liefert erste SiC-Produkte auf 200-mm-Wafern aus

Infineon Technologies liefert ab dem ersten Quartal 2025 die ersten 200-mm-SiC-Produkte...