Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Fraunhofer IZM / Elektromobilität

Siliziumkarbid-Halbleiter in Keramiksubstrate einbetten

Seit vielen Jahren wird an Siliziumkarbid als Material für Leistungshalbleiter geforscht. Allerdings fehlt immer noch die richtige Aufbau- und Verbindungstechnik für die Massenproduktion. Der Weg, den das Fraunhofer IZM geht, ist das Einbetten von…

Fraunhofer IZM / Electromobility

Embedding SiC Semiconductors into Organic Substrates

Silicon carbide, a novel power semiconductor material, has been investigated for years.…

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2019

Trench-SiC-MOSFET mit niedrigstem spezifischem On-Widerstand

Nur 1,84 mΩ/cm² hat der neue Trench-SiC-MOSFET, den Mitsubishi Electric auf der ICSCRM…

更新后的产能扩张计划

Cree 将在纽约建立世界上最大的碳化硅晶圆厂

2019 年 5 月，Cree 宣布以 10 亿美元的投资在五年内将碳化硅晶圆的产能提高 30 倍。现在，该公司扩大了计划，将在纽约州建立世界上最大的碳化硅晶圆制造厂。

Aktualisierter Kapazitätsausbauplan

Cree errichtet weltgrößte SiC-Wafer-Fab in New York

Im Mai 2019 hatte Cree angekündigt, mit einer Investition von 1 Milliarde Dollar die…

Delphi und Cree

Kooperation für kürzere Ladezeiten

In Delphis DC/DC-Wandlern und Ladegeräten werden zukünftig SiC-Halbleiter eingesetzt. Mit…

Stromversorgung

Akkulade-IC mit branchenweit niedrigstem Ladeschluss-Strom

Die neue Akkulade-IC von Texas Instruments mit niedrigem Ladeschluss-Strom sorgt für eine…

3. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Bald enden die Early-Bird-Preise!

Balu Balakrishnan, CEO von Power Integrations, Christian André, Chairman von Rohm…

Organs-on-a-Chip

Dem Chip das Sehen beibringen

Organs-on-a-Chip haben das Potenzial, die Arzneimittelentwicklung zu revolutionieren.…

NXP Semiconductors

Gezielt erwärmen mit HF-Leistungstransistoren

In Mobilfunk-Basisstationen und Sendeanlagen sind HF-Leistungstransistoren zentrale…