Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Leistungselektronik bei der IEDM

Europa als Innovationstreiber

Auf dem 65. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) finden sich zum Thema Leistungselektronik Fortschritte bei Festkörperbatterien, GaN-Leistungsbauelementen mit 1200 V und monolithisch integrierten GaN-on-SOI-ICs – allesamt aus Europa.

Charakterisierung von SiC-MOSFETs

Schalteigenschaften verstehen lernen

Schalttransienten und parasitäre Ströme können die exakte Messung wichtiger…

Bosch Enters SiC Production

Everything From a Single Source

As the world's first Tier 1, Bosch will manufacture SiC power semiconductors for its own…

Bosch-Einstieg in die SiC-Fertigung

Alles aus einer Hand

Als weltweit erster Tier 1 wird Bosch in Zukunft SiC-Leistungshalbleiter für den eigenen…

Fraunhofer IAF / Power Semiconductors

Aluminum Scandium Nitride for the First Time Processed by MOCVD

HEMT devices based on AlScN are considered the next generation of power electronics. Now,…

Toshiba Electronics Europe

Treiber-IC für bürstenlose 3-Phasen Gleichstrommotoren

Der neue Treiber-IC TB67B000AHG für bürstenlose 3-Phasen Gleichstrommotoren von Toshiba…

Fraunhofer IAF / Leistungshalbleiter

Aluminiumscandiumnitrid erstmals per MOCVD hergestellt

HEMT-Bauelemente auf der Basis von AlScN gelten als die nächste Generation der…

Minimale Schaltverluste

Elektrofahrzeuge effizient laden dank SiC-MOSFETs

Beim Laden von E-Autos spielen Wirkungsgrad und die Flexibilität, an unterschiedlichen…

Kommentar

Hoffnungsträger heterogene Integration

Wie sich höchste Integration auch ohne teure Prozesse mit kleinsten Strukturgrößen von 7…

TU Darmstadt und Siemens

Neue Hochspannungsleitungen für Energiewende im Test

Viel Strom muss künftig von der Küste ins ganze Land. Für die Energiewende werden riesige…