Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Efficient Power Conversion

100-V-GaN-Leistungstransistoren

Ein RDS(on) von nur 1,2 mOhm zeichnet den 100-V-GaN-FET EPC2367 aus, den Efficient Power Conversion auf der Messe vorstellt.

Beck Elektronik Bauelemente

Komplettes Power-Programm

In Nürnberg stehen am PCIM-Stand von Beck Elektronik leistungsstarke Komponenten für die…

STMicroelectronics

Gatetreiber ermöglicht skalierbare Designs für EV-Antriebe

Der STGAP4S von STMicroelectronics punktet mit hohem Integrationsgrad, galvanischer…

Nexperia

Planar-Schottky-Dioden im platzsparenden CFP2-HP-Gehäuse

Nexperia bringt 16 neue, für niedrige Vorwärtsspannung (VF) optimierte planare…

Live auf der PCIM

Wie MEMS-Relais die Effizienz drastisch steigern

Das MEMS-Relais »MM9200« von Menlo Micro ist gegenüber elektromechanischen Relais (EMR) um…

Rohm

SiC-Power-Module mit hoher Leistungsdichte

Rohm hat neue 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse entwickelt, die für PFC-…

Weltweiter Anstieg des Energieverbrauchs

Wie Siliziumkarbid die Energiesysteme verändert

Siliziumkarbid (SiC) ermöglicht eine Verringerung der Energieverluste über mehrere…

Infineon Technologies

GaN transistor product family with integrated Schottky diode

Infineon Technologies has introduced the world’s first gallium nitride (GaN) power…

Infineon Technologies

Erste GaN-Transistorfamilie mit integrierter Schottky-Diode

Infineon Technologies hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren…

Europa stärken

X-FAB entwickelt GaN-Power-Plattform mit IQE

X-FAB hat mit IQE, Hersteller von Wafern aus Verbindungshalbleitern, ein Joint Development…