Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Infineon: »an industry game-changer«

World’s first 300 mm power GaN technology

Infineon Technologies announced that the company has succeeded in developing the world’s first 300 mm power gallium nitride (GaN) wafer technology. Infineon is the first company in the world to master this groundbreaking technology in an existing and…

Durchbruch bei Infineon

GaN auf 300-mm-Wafern

Infineon Technologies ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid…

ROHM/UAES

Long-Term Supply Agreement for SiC Power Devices

ROHM and United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., (UAES), a leading Tier 1…

Forschung für Satellitenkommunikation

GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker

Im Projekt »Magellan« entwickeln Forschende des Fraunhofer IAF gemeinsam mit UMS und TESAT…

Integration in Traktionswechselrichtern

Rohm SiC-MOSFETS in EV-Modellen des ZEEKR von Geely

Rohm stellt Leistungsmodule mit SiC-MOSFET-Chips der 4. Generation für die Produktion von…

Vishay

MOSFET-Treiber für hohe Temperaturen

Seit kurzem sind bei Rutronik die Power MOSFETs der Vishay E-Serie SIHD180N60ET4-GE3…

Accelerate growth in China

Wise-integration Creates Subsidiary in Hong Kong

Wise-integration, a French pioneer in digital control of gallium nitride (GaN) and GaN ICs…

Industrielles Elektronikdesign

Galvanische Isolation sicher, schnell und kompakt

In zahlreichen Anwendungen sind Schaltungen für Hoch- und Niedervoltspannungen zuverlässig…

Thermische Modellierung

Nennstrom applikationsabhängig bestimmen

Eine Bestimmung des Nennstroms für Leistungsinduktivitäten in einer Anwendung erlaubt eine…

Entwickler- und Einkäufertage

CALL FOR PAPERS: Passive Bauelemente & Leistungshalbleiter

Zwei Themenbereiche, die für eine effiziente und leistungsfähige Leistungselektronik…