Wärme als Messgröße für Leistung

Verlustleistg. therm. beanspr. Bauteile von DC/DC-Wandlern messen

11. Juni 2010, 12:36 Uhr | Von Yuming Bai
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Fortsetzung des Artikels von Teil 1

Ergebnisse für den integrierten Abwärtswandler

Die Schaltung des integrierten Abwärtswandlers enthält vier Wärmequellen: die Induktivität (W1), das Treiber-IC (W2), den spannungsseitigen MOSFET (W3) und den masseseitigen MOSFET (W4). Das Steuer-IC SiC739 ist intern mit mehreren Chips realisiert (Multi-Chip) und die Wärmequellen W2, W3 und W4 sind sehr nahe in einem Gehäuse montiert.

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Messung der Wärmequelle
Bild 2. Messung am Schaltregler mit integrierten Leistungstransistoren: Die Substratdiode des masseseitigen (diskreten) MOSFET dient als Wärmequelle. Gemessen wird die Temperatur aller vier Bauelemente, die in der Schaltung als Wärmequellen wirken.
© Vishay

Weil es insgesamt vier Wärmequellen sind, ist S eine 4×4-Matrix. Die Werte von S werden ermittelt, indem die einzelnen Wärmequellen nacheinander mit einem definierten Gleichstrom erwärmt und die resultierenden Temperaturanstiege gemessen werden. In Bild 2 sind die Temperaturanstiege der vier Wärmequellen in Abhängigkeit von einem erzwungenen Gleichstrom durch die Substrat-Diode des masseseitigen MOSFET dargestellt.

Bei einer Umgebungstemperatur TA von 23,3 °C erhält man folgende Werte:

ΔT14 = 8,2 K

ΔT24 = 13,1 K

ΔT34 = 13,4 K

ΔT44 = 22,8 K

Für den Strom I4 wurden 2,14 A gemessen, die Spannung U4 betrug 0,6589 V. Folglich ist die Leistung P4 = I4 × U4 = 1,41 W. Mit den gemessenen Temperaturwerten erhält man für Si4, (i = 1, 2, 3, 4) folgende Werte:

                                              S14 = 5,82

                                              S24 = 9,29

                                              S34 = 9,5

                                              S44 = 16,2

Dieses Vorgehen wurde für alle Wärmequellen wiederholt, um alle Werte der Matrix S:

(5)                                S equals open square brackets table row cell 29 comma 6 end cell cell 5 comma 9 end cell 5 cell 5 comma 82 end cell row cell 12 comma 4 end cell cell 18 comma 3 end cell cell 9 comma 7 end cell cell 9 comma 29 end cell row cell 10 comma 9 end cell cell 10 comma 5 end cell cell 15 comma 4 end cell cell 9 comma 5 end cell row cell 12 comma 1 end cell cell 10 comma 2 end cell cell 9 comma 6 end cell cell 16 comma 2 end cell end table close square brackets

und daraus die inverse Matrix zu ermitteln:

(6)    S to the power of negative 1 end exponent equals open square brackets table row cell 0.042 end cell cell negative 5 comma 994 E minus 3 end cell cell negative 4 comma 015 E minus 3 end cell cell negative 9 comma 118 E minus 3 end cell row cell negative 0 comma 015 end cell cell 0 comma 097 end cell cell negative 0 comma 039 end cell cell negative 0 comma 027 end cell row cell negative 9 comma 17 E space minus space 3 end cell cell negative 0 comma 043 end cell cell 0 comma 122 end cell cell negative 0 comma 044 end cell row cell negative 0 comma 016 end cell cell negative 0 comma 032 end cell cell negative 0 comma 045 end cell cell 0 comma 112 end cell end table close square brackets

Jetzt können mit Hilfe des SiC739- Evaluation-Boards und der Gleichungen (3) und (6) die Verlustleistungen der einzelnen Wärmequellen berechnet werden:

                                            P1 = 0,224 W, Induktivität

                                            P2 = 0,431 W, Treiber-IC

                                            P3 = 0,771 W, spannungsseitiger MOSFET

                                            P4 = 0,512 W, masseseitiger MOSFET

Aus den elektrischen Messungen ergibt sich die Gesamtverlustleitung der Leistungsstufe zu:

                                            P1 + P3 + P4 = 1,538 W

Das Thermographie-Messverfahren liefert eine Gesamtverlustleistung von:

                                            P1 + P3 + P4 = 1,507 W

Die Unterschiede zwischen den Ergebnissen der thermischen und der elektrischen Methode sind auf weniger signifikante Wärmequellen zurückzuführen, die nicht in die Berechnung einbezogen wurden. Hierzu zählen beispielsweise die Leiterbahnwiderstände und die äquivalenten Serienwiderstände in den Kondensatoren.


  1. Verlustleistg. therm. beanspr. Bauteile von DC/DC-Wandlern messen
  2. Ergebnisse für den integrierten Abwärtswandler
  3. Ergebnisse für den diskreten Abwärtswandler

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