Leti
Prototyp eines Mikrodisplays mit 10 µm Pitch
Das französische Forschungszentrum Leti demonstriert in dieser Woche auf der Display Week in Los Angeles das erste GaN-basierende High-Brightness-Mikrodisplay (WVGA) mit einem 10-µm-Pitch. Der monochrome (blau oder grün) Demonstrator ist ein Aktiv-Matrix-Prototyp mit 873 x 500 Pixeln.
Der Prototyp, den das Leti als Demonstrator zeigt, basiert auf einer selbstleuchtenden GaN-basierenden Technologie und weist laut Angaben des Forschungsinstituts momentan die höchste Auflösung mit dem kleinsten Pixel-Pitch auf, die bislang jemals gezeigt wurden. Erreicht hat das das Forschungsinstitut, in dem es zur Strukturierung des microLED-Arrays und zur Verbindung mit der CMOS-Schaltung seine eigene micro-tube-Technik genutzt hat. François Templier, Projekt Manager beim Leti, erklärt: »Das Leti hat mit diesem Mikrodisplay einen wichtigen Durchbruch erzielt. Wir arbeiten derzeit weiter in Richtung eines 5-µm-Pixel-Pitches. Für einen noch geringeren Pitch forschen wir an einer neuen Technologie.«
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
»Bismuten« bringt den Durchbruch
Spintronics bei Raumtemperatur
Fraunhofer-Institut IBMT
Mikroloch-Chip hilft Tumorzellen zu analysieren
Leti koordiniert INSPEX-Projekt
Vom autonomen Auto zum smarten Blindenstock
IEDM 2016, San Francisco
Menschliche Hypervernetzung
CEA und LETI
Transistoren für Qubits
