Halbleiter

Schottky-Diode

600-V-GaN-Bauteil von microGaN und Diotec leitet 4 A

Gemeinsam haben microGaN und Diotec eine Schottky-Diode aus dem Halbleitermaterial Galliumnitrid vorgestellt, die ein Vorwärtsspannung von 1,2 V bei 4 A hat. Solche Bauteile mit 600 V Sperrspannung eignen sich für PFC- oder Umrichterstufen.

FPGAs in 22 nm

Intel fertigt für Achronix

Das Unmögliche wird möglich: Intel gewährt dem PLD-Startup Achronix Semiconductor Zugang…

32-Bit-MCUs

Microchip bleibt MIPS treu

Microchip Technology folgt auch bei der nächsten Generation seiner 32-Bit-Controller nicht…

Für effizientere Photovoltaik-Anlagen

ST ersetzt Bypass-Diode in PV-Panels

Mit dem SPV1001, einer Kombination aus verlustarmem Leistungsschalter und einer präzisen…

Kommentar

Mehr Lobbyarbeit wagen

Ein schönes Wachstum prognostizieren Analysten den Leistungshalbleitern. Da fallen vielen…

STMicroelectronics

Die Nummer 2 tritt ab

Nach 27 Jahren bei STMicroelectronics verabschiedet sich COO Alain Dutheil in die Rente.…

Lattice:

PLD-Familie MachXO2 adressiert kosten- und energiesensitive Designs

Bis zu 30 % geringere Kosten und Senkung der Stromaufnahme auf weniger als 1/100 im…

Mobile Multimedia SoC Bereich wird zu Renesas…

Renesas Electronics gründet Unternehmen aus

Die Aufteilung in SoC Business Unit 1 und SoC Business Unit 2 wirkte von Anfang an etwas…

Renesas/ST Microelectronics

Quartalszahlen fallen höchst unterschiedlich aus

Zwei weitere Halbleiterhersteller haben ihre Quartalsergebnisse bekanntgegeben: Während ST…

Mehrere FPGAs in einem Gehäuse

Xilinx überschreitet Grenzen des Mooreschen Gesetzes

Um immer größere FPGAs mit mehr Logikelementen herzustellen, gibt es zwei Möglichkeiten:…