Kleinste Halbleiter-Lithografie
Neuer Technologiemaßstab: 25-nm-NAND-Flash
1. Februar 2010, 18:07 Uhr |
Corinna Puhlmann
Intel und Micron haben den industrieweit ersten 25-nm-NAND-Prozess vorgestellt – und damit die derzeit kleinste Halbleiter-Lithografie der Branche eingeführt.
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Mit dem neuen Fertigungsverfahren wird IM Flash Technologies - ein Joint Venture von Intel und Micron - einen 8-GByte-Speicherbaustein fertigen. Der Start der Massenproduktion soll bereits im zweiten Quartal 2010 erfolgen.
Dank des neuen 25-nm-Prozesses lässt sich die Anzahl der Speicherkomponenten im Vergleich zur Vorgängergeneration um 50 Prozent reduzieren. So sind für ein Solid State Drive mit einer Speicherkapazität von 256 GByte nur noch 32 NAND-Flash-Bausteine erforderlich (vorher 64). Ein 32-GByte-Smartphone benötigt nur vier und eine 16-GByte-Flash-Karte zwei dieser Chips.
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