Leistungshalbleiter

Gehäusetechnologie

Parasitäten minimiert

Durch die jüngsten Fortschritte in der Halbleiter- und der Gehäusetechnologie lassen sich immer höhere Wirkungsgrade und Leistungen bei immer kompakteren Bauformen realisieren. Beispielsweise verbauen manche Hersteller sowohl den so genannten…

Leistungshalbleiter für Windkraftanlagen

Von Mikro- bis Megawatt

Innerhalb einer »Windmühle« ist der Umgang mit Elektrizität in einem extrem weiten…

Texas Instruments integriert NexFET-Technologie

DC/DC auch bei 15 A und 25 A hocheffizient

Texas Instruments stellt mit den DC/DC-Synchronwandlern TPS56121 (15 A) und TPS56221 (25…

Niederinduktiv aufgebaut

Schaltgeschwindigkeit von IGBT-Modulen

Die Forderung in der Leistungselektronik nach hohen Wirkungsgraden bei gleichzeitiger…

Solar-Wechselrichter

Effizienter mit Siliziumkarbid

Wer sich eine Photovoltaik-Anlage aufs Dach setzt, der erwartet, dass sie mindestens 20…

Leistungshalbleiter

Cree: 1200-V-Schottky-Diode aus SiC im D-Pak-Gehäuse

Für 5 A bei einer Sperrspannung von 1200 V spezifiziert ist die Schottky-Diode »C2D05120E«…

Power-MOSFET

Renesas präsentiert 600-V-Super-Junction-MOSFET

Mit dem »RJK60S5DPK« hat Renesas Electronics sein erstes Produkt aus einer Serie von…

PWM-Controller plus MOSFET

GaN-Leistungshalbleiter verfügbar

International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine…

Applikationsspezifische IGBTs für Klimaanlagen

Runter mit den Temperaturen

Der häusliche Bereich stellt besondere Anforderungen an Klimaanlagen. Wichtige…

Leistungsfaktorkorrektur

PFC-Controller mit integriertem MOSFET von Power Integrations

Mit dem »HiperPFS« hat Power Integrations einen PFC-Baustein vorgestellt, der neben dem…