Navitas Semiconductor

GaN-Halbbrücke mit GaNSense-Technologie

7. September 2022, 10:00 Uhr | Ralf Higgelke
Navitas, GaNFast, half-bridge, GaNSense
© Navitas

Basierend auf ihrer GaNSense-Technologie hat Navitas nun ein Halbbrücken-IC vorgestellt, das Schaltfrequenzen im MHz-Bereich erreichen kann und gleichzeitig die Systemkosten und die Komplexität im Vergleich zu bestehenden diskreten Lösungen drastisch reduzieren kann.

Diesen Artikel anhören

Die Halbbrücken-ICs mit GaNSense-Technologie, die Navitas nun präsentiert hat, enthalten zwei getrennte GaN-FETs inklusive Treiber, Überwachung, Sensorik, autonomen Schutzfunktionen und galvanischer Trennung als Single-Package-Lösung. Ziel ist es, einen Grundbaustein für die Leistungselektronik zu schaffen.

Derzeit umfasst die Produktfamilie der den NV6247 mit einem Nennwert von 650 V und 160 mΩ (dual) sowie den NV6245C mit einem Nennwert von 275 mΩ (dual), beide in einem 6 × 8 mm großen PQFN-Gehäuse nach Industriestandard mit niedrigem Profil. Der NV6247 ist in Produktion und mit einer Lieferzeit von 16 Wochen unmittelbar verfügbar. Der NV6245C wird derzeit bemustert und dürfte im vierten Quartal 2022 für alle Kunden in Produktion gehen. In den kommenden Quartalen soll diese IC-Familie in einer Vielzahl von Gehäuseformen und Leistungsstufen erhältlich sein. Weitere Einzelheiten finden Sie in der Application Note AN018.

Diese Single-Package-Lösung kann die Anzahl der Komponenten und den Platzbedarf im Vergleich zu bestehenden diskreten Lösungen um mehr als 60 Prozent reduzieren. Dies kann die Systemkosten, die Abmessungen, das Gewicht und die Komplexität senken. Durch die integrierte GaNSense-Technologie bieten die Bausteine autonome Schutzmechanismen, um die Zuverlässigkeit und Robustheit zu erhöhen, sowie eine verlustfreie Strommessung für einen höheren Wirkungsgrad und Energieeinsparungen.

Der hohe Integrationsgrad eliminiert auch parasitäre Schaltungselemente und Verzögerungseffekte, wodurch der Betrieb bei Frequenzen im MHz-Bereich für eine breite Palette von AC-DC-Topologien wie resonante LLC-Wandler, asymmetrische Halbbrücken (AHB) und Active-Clamp Flyback (ACF) möglich wird. Die GaNSense-Halbbrücken-ICs eignen sich auch ausgezeichnet für Totem-Pole-PFC sowie für Anwendungen im Bereich der Motorsteuerung.

Die Halbbrücken-ICs der GaNSense-Serie dürften sich in allen Zielmärkten von Navitas erheblich auswirken, darunter Schnellladegeräte für Mobiltelefone, Netzadapter für den Consumer-Bereich, Stromversorgungen für Rechenzentren, Solar-Wechselrichter, Energiespeicher und Anwendungen im Bereich Elektrofahrzeuge.

Anbieter zum Thema

zu Matchmaker+

Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

»Der Übernahmereigen des Jahres 2015 drückt auf die CAPEX-Investitionen, die wohl erst wieder 2018 anziehen werden.  Gleichzeitig besteht die Gefahr, dass die Firmen weniger Geld in Produkt- und Technologie- entwicklung investieren.«

Leistungshalbleitermarkt

Rezession birgt Gefahr des Umsatzrückgangs

Kasteleiner Harald

Lage auf dem Leistungshalbleitermarkt

Noch keine Entspannung der Versorgungsprobleme in Sicht

Staeding Stefan

Wachstum bei Monolithic Power Systems

Erfolg durch Diversifizierung

WEKA Fachmedien

Markt&Technik-RT Leistungshalbleiter

Von der Allokation zum Soft Landing

Power Integrations

Hochintegrierte Motorantriebs-ICs

Mit integrierter Systemfehlerdiagnose

Würth Elektronik eiSos

DC/DC-Wandler im MicroModul-Format

Kompakt und leistungsfähig

LHL-Forum

Weitere Milliarden für SiC-Fertigungen

Hoffen auf ein Soft Landing

IHS Markit Technology

Leistungshalbleiter-Markt

»Das Marktwachstum geht deutlich zurück«

Alfred Hesener, Navitas, Gallium Nitride

Alfred Hesener, Navitas Semiconductor

»Unsere GaN-Halbbrücken können mehr«

Future Electronics, Würth Elektronik

Galliumnitrid

Integrierte GaN-Gate-Treiber im Vergleich

Efficiency, Power Electronics

Motorsteuerung mit GaN-Leistungs-ICs

Effizient, robust, kostengünstig

Navitas, GeneSiC, Acquisition

GaN-Marktführer diversifiziert sich

Navitas übernimmt GeneSiC

AdobeStock_182239798_Preview

Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Lidow EPC

Integrations-Roadmap / Expansion bei EPC

»Wir erhöhen den Wettbewerbsdruck für Niederspannungs-FETs«

Innoscience

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

Um nicht weniger als 48 Prozent pro Jahr wird der Umsatz mit SiC- und GaN-Komponenten bis 2025 laut TrendForce wachsen.

SiC- und GaN-Komponenten

48 Prozent Wachstum pro Jahr

BelGaN, Gallium Nitride

Europäische GaN-Foundry

BelGaN erwirbt belgische Wafer-Fab von onsemi

Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

STMicroelectronics, PowerGaN, STPower, GaN, Gallium Nitride

Galliumnitrid (GaN)

STMicroelectronics präsentiert erste PowerGaN-Produkte

Navitas Semiconductor, GaNFast, GaNSense, Gallium Nitride, GalliumNitride

Navitas Semiconductor

Neue Generation von GaN-Power-ICs mit GaNSense-Technologie

GaN Systems

Galliumnitrid / Elektromobilität

BMW sichert sich Fertigungskapazitäten bei GaN Systems