Firma

Texas Instruments Deutschland GmbH

90 Prozent Wirkungsgrad bei 15 A

TI: Halbbrücke auf 3 x 3 mm Grundfläche

Die neue MOSFET-Halbbrücke auf Basis der NexFET-Power-Block-Technik von Texas Instruments sitzt in einem SON-Gehäuse mit einer Grundfläche von 3 mm × 3 mm. Ohne Luftstrom steigt die Temperatur bei 15 A um nur 35 °C.

Texas Instruments integriert NexFET-Technologie

DC/DC auch bei 15 A und 25 A hocheffizient

Texas Instruments stellt mit den DC/DC-Synchronwandlern TPS56121 (15 A) und TPS56221 (25…

Abwärtswandler

Hohe Schaltfrequenzen wirken sich negativ aus

Höhere Schaltfrequenzen führen normalerweise zu niedrigeren Wirkungsgraden. Doch gerade…

Videobildschirme, Nachrichtentafeln und…

TI: Verschachtelnder 4x4-Kanal-LED-Treiber

Texas Instruments stellt einen seriell gesteuerten rauscharmen 16-Kanal-LED-Treiber…

Mit NexFET-Technik auf 91 Prozent Wirkungsgrad

TI: 25-A-Abwärts-Regler erreichen 12 W/cm³

Der neue synchrone Abwärts-Schaltregler TPS56221 der SWIFT-Familie von Texas Instruments…

Smart-Metering

Wireless-M-Bus, Powerline und der MSP430 im Zusammenspiel

Die Daten die beim Smart-Metering anfallen müssen auch irgendwie und möglichst…

Texas Instruments

Gleitkomma-MCU »Delfino« für hohe Temperaturen

Der neue SM320F28335-HT Delfino von Texas Instruments ist ein…

Der einsame Kämpfer

Renesas gegen ARM und Microchip – ist CISC besser als RISC?

Mit der RX-Familie will Renesas auch zukünftig der gesamten ARM-Community und…

ISSCC 2011

TI-Forscher aus Freising stellen »Ultra«-Ultra-Low-Power-Mikrocontroller mit FeRAM vor

Für Energy-Harvesting-Applikationen, bei denen jedes Mikrowatt zählt, hat Texas…

ISSCC 2011

Texas Instruments und MIT stellen Ultra-Low-Power-DSP für mobile Applikationen vor

Bei mobilen Geräten gibt es einerseits steigende Anforderungen an die DSP-Leistung und…