90 Prozent Wirkungsgrad bei 15 A
TI: Halbbrücke auf 3 x 3 mm Grundfläche
Die neue MOSFET-Halbbrücke auf Basis der NexFET-Power-Block-Technik von Texas Instruments sitzt in einem SON-Gehäuse mit einer Grundfläche von 3 mm × 3 mm. Ohne Luftstrom steigt die Temperatur bei 15 A um nur 35 °C.
Damit nimmt das neue Power-Block-Paket CSD86330Q3D gegenüber dem Aufbau mit zwei diskreten Power-MOSFETs, die in QFN-Gehäusen mit jeweils 3 x 3 mm Grundfläche untergebracht sind, nur halb so viel Platz ein.
Mit der geringen Verlustleistung eignet sich der Power-Block für den Einsatz Servern, Desktop-PCs, Industrie-PCs, Notebooks, Netzwerkgeräten, Mobilfunkinfrastrukturen, Consumer-Geräte und kommerziellen Stromversorgungen.
Den neuen NexFET-Power-Block CSD86330Q3D fertigt TI in hohen Stückzahlen, er kostet bei Abnahme von 1.000 Einheiten 0,95 Dollar.
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