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90 Prozent Wirkungsgrad bei 15 A

TI: Halbbrücke auf 3 x 3 mm Grundfläche

25. März 2011, 7:44 Uhr | Heinz Arnold

Das neue Power-Block-Paket CSD86330Q3D nimmt gegenüber dem diskreten Aufbau mit zwei Power-MOSFETs die Hälfte des Platzes ein und erreicht einen Wirkungsgrad von mehr als 90 Prozent bei 15 A

Die neue MOSFET-Halbbrücke auf Basis der NexFET-Power-Block-Technik von Texas Instruments sitzt in einem SON-Gehäuse mit einer Grundfläche von 3 mm × 3 mm. Ohne Luftstrom steigt die Temperatur bei 15 A um nur 35 °C.

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Damit nimmt das neue Power-Block-Paket CSD86330Q3D gegenüber dem Aufbau mit zwei diskreten Power-MOSFETs, die in QFN-Gehäusen mit jeweils 3 x 3 mm Grundfläche untergebracht sind, nur halb so viel Platz ein.

Mit der geringen Verlustleistung eignet sich der Power-Block für den Einsatz Servern, Desktop-PCs, Industrie-PCs, Notebooks, Netzwerkgeräten, Mobilfunkinfrastrukturen, Consumer-Geräte und kommerziellen Stromversorgungen.

Den neuen NexFET-Power-Block CSD86330Q3D fertigt TI in hohen Stückzahlen, er kostet bei Abnahme von 1.000 Einheiten 0,95 Dollar.