Firma

Texas Instruments Deutschland GmbH

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid höhere Anforderungen an den Kurzschlussschutz. Warum das so ist und welche verschiedenen Möglichkeiten es gibt, die Bauteile im Kurzschlussfall zu schützen, erklärt…

Stromversorgung und Leistungselektronik

Die Power-Highlights der electronica 2020

Welche Produkte sollten Power-Entwickler mit ins Jahr 2021 nehmen? Wir haben uns auf der…

Semiconductor industry 2020

Meeting the Challenges of the Future with Innovation

Trends such as energy efficiency and reliability are only going to increase in the future…

Halbleiterindustrie 2020

Mit Innovationen kommenden Herausforderungen begegnen

Trends wie Energieeffizienz und Zuverlässigkeit werden sich in der Zukunft verstärken –…

Neue Automotive-GaN-FETs von TI

Doppelte Leistungsfähigkeit mit weniger Bauelementen

Texas Instruments erweitert mit den weltweit ersten 650 V Automotive-GaN-FETs…

Texas Instruments / Galliumnitrid

Integrierter 650-V-GaN-FET für Automotive-Anwendungen

Mit dem LMG3525R030-Q1 hat Texas Instruments seinen ersten Automotive-qualifizierten…

Power-Highlights auf der electronica

Automotive-GaN-FET mit 99% Wirkungsgrad

Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche und…

Stromversorgung

Texas Instruments auf der electronica 2020

Rauscharme Abwärtswandler mit integrierter Ferritperlen-Kompensation

Stromversorgung

Texas Instruments auf der electronica 2020

Rauscharme Abwärtswandler mit integrierter Ferritperlen-Kompensation

Orientierung bei der Jobsuche

TI stellt seine Berufsbilder vor

Das Recruiting-Team von Texas Instruments stellt vom 16. bis 20. November in einer jeweils…