Nachdem Power Integrations seine InnoSwitch3-Serie vor zwei Jahren mit Galliumnitrid-Transistoren (GaN) hochgerüstet hat, präsentiert das Unternehmen nun zwei Bausteine mit 1700-V-Transistoren aus Siliziumkarbid (SiC). Zielapplikation sind…
Gerade einmal 117 Bauteile hat das 8,4 cm × 5,5 cm × 2,4 cm große Referenzdesign von Power…
Ein neuer Chipsatz, bestehend aus einem Sperrwandler-IC mit einem robusten…
GaN-Leistungsbausteine sind nach Einschätzung der Marktforscher von TrendForce die am…
Mit InnoSwitch3-PD hat Power Integrations eine Bausteinfamilie vorgestellt, die USB PD,…
Allein 2020 verdoppelte sich der Markt für GaN-basierte Leistungselektronik, getrieben von…
Das PFC-Controller-IC HiperPFS-4 von Power Integrations ist jetzt mit einer integrierten…
Die Elektronik-Redaktion ruft zur 23. Leserwahl »Produkte des Jahres« auf. Hier stellen…
Die Zwischenkreiskapazität in einem Sperrwandler bestimmt sich aus dem Worst Case, also…
The DC link capacity in a flyback converter is determined by the worst case, i.e. at…