GaN-Leistungshalbleiter charakterisieren
Herausforderung GaN-FET-Test
Die dynamische Charakterisierung von Leistungshalbleitern mit großer Bandlücke ist eine echte Aufgabe. Vor allem Leistungshalbleiter-FETs aus Galliumnitrid machen Probleme, weil ihr Betrieb mit höheren Frequenzen und verschiedenen Technologien…