Fraunhofer ISE
InP-auf-GaAs-Substrate können Indiumphosphid-Wafer ersetzen
Das Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE und III/V-Reclaim haben ein Verfahren entwickelt, um InP-auf-GaAs-Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm zu fertigen, der Schritt zu 300 mm soll problemlos möglich sein.