Cambridge GaN Devices und IFPEN partnern
Entwicklung von Wechselrichtern für die Automobilindustrie
Die französisches Forschungseinrichtun IFP Energies nouvelles (IFPEN) nutzt die GaN-HEMTs von Cambridge GaN Devices (CGD) für die Entwicklung eines Wechselrichters der nächsten Generation. Eine entsprechende Vereinbarung haben die beiden Entwicklungspartner unterzeichnet.
Die Partnerschaft zwischen IFPEN und CGD verbindet zwei sich in hohem Maße ergänzende Fachgebiete. Das IFPEN kennt den Automobilmarkt und seine Leistungsanforderungen. Darüber hinaus verfügt das IFPEN über eine starke Position bei der Entwicklung von Wechselrichtern und Software und kennt die erforderlichen Algorithmen und Geräte genauestens.
Die GaN-Technologie von CGD hat die nach Unternehmensangaben branchenweit erste einfach zu verwendende und skalierbare 650-V-GaN-HEMT-Familie hervorgebracht. Die Bausteine der Serie ICeGaN H1 von CGD sind Single-Chip eMode-HEMT-Bauelemente, die wie MOSFETs angesteuert werden können, ohne dass spezielle Gate-Treiber, komplexe und verlustbehaftete Ansteuerungsschaltungen, eine negative Spannungsversorgung oder zusätzliche Klemmelemente erforderlich sind.
ICeGaN-HEMTs erfordern keine Kaskodenstruktur, keine komplexen Multi-Chip-Konfigurationen und keine aus thermischer Sicht komplizierten integrierten Lösungen. Stattdessen stellen sie eine Ein-Chip-Lösung mit eingebetteter proprietärer Logik dar, die die Kopplung mit Standard-Gate-Treibern oder -Controllern ermöglicht. Die Bauelemente sind sehr zuverlässig und eignen sich für anspruchsvolle Anwendungsumgebungen, wie sie auf dem Automobilmarkt zu finden sind.
»Die technologische Innovation steht im Mittelpunkt aller Aktivitäten von IFPEN. Daher freuen wir uns besonders darüber, dass IFPEN die ICeGaN-GaN-HEMTs von CGD für dieses neue Wechselrichterdesign für die Automobilindustrie ausgewählt hat. IFPEN ist ebenso wie CGD davon überzeugt, dass enge Partnerschaften mit den wichtigsten Akteuren für den Erfolg eines jeden Projekts unerlässlich sind«, betont Dr. Giorgia Longobardi, Mitgründer & CEO von CGD.
»Die Partnerschaft mit CGD ist ein wesentliches Element für unsere künftigen Aktivitäten im Bereich der Leistungselektronik für die Elektromobilität, insbesondere für die nächste Generation von Wechselrichtern, bei denen ein Technologiesprung erforderlich ist, um die Größe zu verringern, die Leistungsdichte zu erhöhen und gleichzeitig die Kosten zu senken. Wir setzen auf die Zusammenarbeit mit diesem jungen, dynamischen und äußerst innovativen Unternehmen, um die ehrgeizigen Herausforderungen zu meistern, die für die Zukunft der E-Mobilitätsbranche entscheidend sind«, ergänzt Gaëtan Monnier, Mobility BU Director bei IFPEN.
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