Produkt

Leistungsmodule

Für effiziente Spannungswandler

Monolithisch integrierte 600-V-GaN-Halbbrücke

Halbbrückenschaltungen sind Schlüsselbausteine vieler Spannungswandler-Typen. Eine neu entwickelte, monolithisch integrierte GaN-Halbbrücke könnte effizientere, kompaktere und zuverlässigere netzgebundene Leistungselektronik-Anwendungen als bisher…

2D-Kurzschlussdetektion schützt IGBTs

Kurzschluss schneller erkennen

Moderne IGBTs brauchen aufgrund ihrer dünnen Chipdicke eine Schutzschaltung, die…

Leistungselektronik-Report

Der Power-MOSFET-Markt – Aktuelles und Trends

Yole Développement hat einen neuen Leistungselektronik-Bericht vorgelegt, in dem das…

Für batteriebetriebene Anwendungen

StrongIRFET im neuen Gehäuse

Infineon ergänzt die StrongIRFET-Familie um einen 40-V-Baustein im neuen Gehäuse D2PAK…

Hoher Drain-Dauerstrom

30-V-n-Kanal-TrenchFET für Mobilgeräte

Vishay hat einen 30-V-n-Kanal-TrenchFET der vierten Generation präsentiert, der die…

Superjunction-MOSFETs

Neuer Anbieter im 650-V-Markt

Ein neuer Teilnehmer auf dem Leistungshalbleiter-Markt ist D3 Semiconductor. Das Ende 2011…

Für 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung

100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

Seine U-MOS-VIII-H-Serie hat Toshiba um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs…

PCIM Europe 2017

Elektromobilität als neuer Messefokus

In diesem Jahr hat die PCIM Europe einen neuen Schwerpunkt zu bieten – die E-Mobility Area…

PCIM Asia 2017

Erneuerbare Energien und Elektromobilität im Fokus

Das Konferenzprogramm der PCIM Asia 2017 steht fest. Bei der Auswahl der Vorträge wurde…

ICs, Module und Entwicklungszubehör

Innovationen aus der Leistungselektronik

Es tut sich viel in der Leistungselektronik. Die Hersteller überschlagen sich geradezu mit…