Produkt

Leistungsmodule

© STMicroelectronics

Platz sparen in effizienten Antrieben

IPMs für Motor-Anwendungen bis 100 W

STMicroelectronics hat seine SLLIMM-nano-Familie um fünf weitere intelligente Power-Module (IPMs) erweitert. Die mit IGBTs oder MOSFETs ausgestatteten Module adressieren Antriebs-Anwendungen im unteren Leistungsbereich bis maximal 100 W.

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

Robustes IGBT-Modul von Mitsubishi

Feldausfälle minimieren

IGBT-Module in hochzuverlässigen Anwendungen müssen für bis zu 30 Jahre eine definierte…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Infineon

Forschungsprojekt »eRamp«

Die Leistungselektronik in Deutschland und Europa stärken

Damit die Leistungselektronik im europäischen Raum auch zukünftig wettbewerbsfähig bleibt,…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

IMS statt PCB

Optimale Entwärmung von GaN-Bauelementen auf Systemebene

Gerade bei hohen Strömen und Leistungen muss besonderes Augenmerk auf die thermische…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial

Licht aus dem Schatten des Siliziums

Das Potenzial von Galliumnitrid für Anwendungen in der Leistungs- und…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

MOSFETs im TO-220 FullPAK Wide Creepage

Isolationskriterien erfüllen

Wie lassen sich Isolationsvorschriften für MOSFETs ohne zusätzliche Arbeitsschritte und…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Rohm Semiconductor

1700-V-SiC-MOSFETs machen es möglich

Hilfsstromversorgungen - kompakt und kostengünstig

In Hilfsstromversorgungen für dreiphasig gespeiste industrielle Sys­teme lassen sich durch…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Mesago

PCIM Europe 2017

Die PCIM endet mit einem Rekordergebnis

Die PCIM Europe 2017 in Nürnberg war drei Tage lang der Treffpunkt der…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Rohm

Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Mit ihrer innovativen Zellenstruktur erzielen die 650-V-IGBTs von Rohms dritter Generation…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Mitsubishi Electric

Höhere Leistung und kompaktere Umrichter

Acht neue HV-IGBT-Module

Mitsubishi hat acht weitere HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV; 4,5…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo