Produkt

Neue Gehäusetechnologie

Trenchstop Advanced Isolation für diskrete IGBTs

Die neue Gehäusetechnologie Trenchstop Advanced Isolation hat Infineon für seine Trenchstop- und Trenchstop-Highspeed-3-IGBTs entwickelt.

Für effiziente ZVS-LLC-Resonanzwandler

MDmesh-MOSFETs mit Fast-Recovery-Diode

Die neu vorgestellten MDmesh-DK5-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind…

Embedded Computer

Zusatzgeschäft Software

Im Cloud-Zeitalter wird die Hardware immer unwichtiger. Deshalb möchte Advantech auch an…

Artikel des Jahres

Die besten Elektronik-Autoren des vergangenen Jahres

Durch fachlich tiefgehende Artikel zu aktuellen Themen bietet die Elektronik eine…

Für effiziente Spannungswandler

Monolithisch integrierte 600-V-GaN-Halbbrücke

Halbbrückenschaltungen sind Schlüsselbausteine vieler Spannungswandler-Typen. Eine neu…

2D-Kurzschlussdetektion schützt IGBTs

Kurzschluss schneller erkennen

Moderne IGBTs brauchen aufgrund ihrer dünnen Chipdicke eine Schutzschaltung, die…

Leistungselektronik-Report

Der Power-MOSFET-Markt – Aktuelles und Trends

Yole Développement hat einen neuen Leistungselektronik-Bericht vorgelegt, in dem das…

Für batteriebetriebene Anwendungen

StrongIRFET im neuen Gehäuse

Infineon ergänzt die StrongIRFET-Familie um einen 40-V-Baustein im neuen Gehäuse D2PAK…

Hoher Drain-Dauerstrom

30-V-n-Kanal-TrenchFET für Mobilgeräte

Vishay hat einen 30-V-n-Kanal-TrenchFET der vierten Generation präsentiert, der die…

Superjunction-MOSFETs

Neuer Anbieter im 650-V-Markt

Ein neuer Teilnehmer auf dem Leistungshalbleiter-Markt ist D3 Semiconductor. Das Ende 2011…