Produkt

Leistungsmodule

MOSFETs im TO-220 FullPAK Wide Creepage

Isolationskriterien erfüllen

Wie lassen sich Isolationsvorschriften für MOSFETs ohne zusätzliche Arbeitsschritte und Einschränkungen des thermischen Verhaltens erfüllen? Zum Beispiel durch ein leicht adaptiertes Gehäuse mit höherer Kriechstrecke. Die Folge: einfacheres Design…

1700-V-SiC-MOSFETs machen es möglich

Hilfsstromversorgungen - kompakt und kostengünstig

In Hilfsstromversorgungen für dreiphasig gespeiste industrielle Systeme lassen sich durch…

PCIM Europe 2017

Die PCIM endet mit einem Rekordergebnis

Die PCIM Europe 2017 in Nürnberg war drei Tage lang der Treffpunkt der…

Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Mit ihrer innovativen Zellenstruktur erzielen die 650-V-IGBTs von Rohms dritter Generation…

Höhere Leistung und kompaktere Umrichter

Acht neue HV-IGBT-Module

Mitsubishi hat acht weitere HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV; 4,5…

Neue Gehäusetechnologie

Trenchstop Advanced Isolation für diskrete IGBTs

Die neue Gehäusetechnologie Trenchstop Advanced Isolation hat Infineon für seine…

Für effiziente ZVS-LLC-Resonanzwandler

MDmesh-MOSFETs mit Fast-Recovery-Diode

Die neu vorgestellten MDmesh-DK5-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind…

Embedded Computer

Zusatzgeschäft Software

Im Cloud-Zeitalter wird die Hardware immer unwichtiger. Deshalb möchte Advantech auch an…

Artikel des Jahres

Die besten Elektronik-Autoren des vergangenen Jahres

Durch fachlich tiefgehende Artikel zu aktuellen Themen bietet die Elektronik eine…

Für effiziente Spannungswandler

Monolithisch integrierte 600-V-GaN-Halbbrücke

Halbbrückenschaltungen sind Schlüsselbausteine vieler Spannungswandler-Typen. Eine neu…