Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Siliziumkarbid für die Industrie

Mehr Leistungsdichte für Elektroautos, Datenzentren und Industrie

Der Halbleiterhersteller Cree hat neue 650-V-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid auf den Markt gebracht. Deren Effizienz soll die nächste Generation von Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen ermöglichen und auch die Leistung industrieller Anwendungen steigern.

PMIC-Referenzdesigns

FPGAs und SoCs schneller unter Strom setzen

Renesas präsentiert drei einfach anzuwendende PMIC-Referenzdesigns (Power Management...

Exklusive Branchenumfrage

Wie die Corona-Krise die Medizintechnik herausfordert

In der Corona-Krise ist der Bedarf an medizintechnischen Produkten schlagartig...

Siliziumkarbid auf dem Vormarsch

Microchip nimmt SiC-Leistungsmodule ins Programm

Microchip nimmt neue SiC-Leistungsmodule ins Portfolio und setzt auf die weiter...

Offensive in Sachen Wideband-Gap

ST gibt Vollgas

Mit massiven Investitionen in seine SiC- und GaN-Produktionskapazitäten will...

Gate-Treiber

SiC-Module richtig ansteuern

Auch in Power-Modulen, wie sie bislang für Silizium-IGBTs eingesetzt wurden, finden...

Market Overview for SiC and GaN

"2020 will be the year of GaN!", says Yole

The world of power electronics is considered to be very conservative. But meanwhile SiC...

Nexperia

Xuezheng Zhang löst Frans Scheper als CEO ab

Frans Scheper, CEO von Nexperia, geht vorzeitig in den Ruhestand. Xuezheng Zhang,...

Marktüberblick zu SiC und GaN

Yole: »2020 wird das GaN-Jahr!«

Die Welt der Leistungselektronik gilt als sehr konservativ. Doch mittlerweile haben SiC...

Siliziumkarbid / Foundry-Services

X-FAB fügt eigene SiC-Epitaxie hinzu

Neben dem weiteren Ausbau der Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid (SiC) fügt X-FAB...