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Ziel: Schnellere Entwicklung

STMicroelectronics und TSMC kooperieren bei GaN

STMicroelectronics und TSMC arbeiten künftig gemeinsam an der Entwicklung der Gallium-Nitrid-Prozesstechnologie, um die Markteinführung von diskreten und integrierten GaN-Bauelementen zu beschleunigen.

Infineon Jahreshauptversammlung 2020

»Wenn der Markt anzieht, wird Infineon bereit sein«

Auf der Jahreshauptversammlung von Infineon blickte Vorstandsvorsitzender Dr. Reinhard…

Interview with Alex Lidow

What’s New with Gallium Nitride?

Alex Lidow is the CEO of Efficient Power Conversion, probably the most prominent advocate…

STMicroelectronics

»Unsere Strategie funktioniert!«

Der Überzeugung ist Michael Anfang, Executive Vice President Sales & Marketing, Europe,…

Versorgungssicherheit für SiC-Wafer

Ausbau der Zusammenarbeit

Für mehr als 120 Millionen Dollar wird die Rohm-Tochter SiCrystal in den nächsten Jahren…

Nexperia als neuer GaN-Player

Mit Fokus auf Automotive

Nexperia verfolgt im GaN-Bereich einen Geschäftsansatz, der sich auf den Bereich…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2019

Im Zeichen von SiC und GaN

Mit der immer mehr in den politischen Fokus rückenden Klimaerwärmung könnten schon in…

Interview mit Andreas Urschitz, Infineon

»Digital Power ist der Enabler für SiC und GaN«

Um Infineons Marktführerschaft im Bereich Leistungselektronik auszubauen, setzt Andreas…

Leistungshalbleiter: Book-to-Bill-Rate

Vom Verkäufer- wieder zum Käufermarkt

Und dann war die große Sause vorbei: Auf zwei Jahre Allokation folgte 2019 die notwendige…

ECPE Workshop

Power Modules of the Future

Wide-bandgap semiconductors and electromobility pose completely new challenges for…