Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Gate-Treiber

SiC-Module richtig ansteuern

Auch in Power-Modulen, wie sie bislang für Silizium-IGBTs eingesetzt wurden, finden sich immer häufiger Siliziumkarbid-Mosfets. Um ihr Potenzial voll auszuschöpfen, ist ein robuster und schneller Gate-Treiber essenziell.

Market Overview for SiC and GaN

"2020 will be the year of GaN!", says Yole

The world of power electronics is considered to be very conservative. But meanwhile SiC…

Nexperia

Xuezheng Zhang löst Frans Scheper als CEO ab

Frans Scheper, CEO von Nexperia, geht vorzeitig in den Ruhestand. Xuezheng Zhang, derzeit…

Marktüberblick zu SiC und GaN

Yole: »2020 wird das GaN-Jahr!«

Die Welt der Leistungselektronik gilt als sehr konservativ. Doch mittlerweile haben SiC…

Siliziumkarbid / Foundry-Services

X-FAB fügt eigene SiC-Epitaxie hinzu

Neben dem weiteren Ausbau der Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid (SiC) fügt X-FAB…

VisIC / 100-kW-Traktionsumrichter

GaN macht Elektromobilität kostengünstiger

Gemeinsam mit der University of Texas in Austin hat VisIC Technologies ein Referenzdesign…

JEDEC / Galliumnitrid

Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren bewerten

Mit der JEP180 hat die JEDEC eine Richtlinie veröffentlicht, mit deren Hilfe sich die…

Fegt Tesla die etablierten OEMs hinweg?

Was am Vorsprung tatsächlich dran ist

Ob es gerechtfertigt ist, Newcomern wie Tesla einen Vorsprung von sechs Jahren zu…

Power Integrations

Robuste GaN-basierte InnoSwitch3-ICs nach unten erweitert

Die bisherigen InnoSwitch3-Familien von Power Integrations zielen auf Leistungen von bis…

Efficient Power Conversion (EPC)

Monolithic GaN Half-Bridge with Driver for 80 V/12.5 A

Efficient Power Conversion (EPC) has introduced the EPC2152, its first member of the new…