Produkt

TDK / 中间电路电容器

特殊 SiC 和 GaN 电容器电介质

基于氮化镓和碳化硅的功率晶体管对中间电路电容器的要求非常高。TDK 现在已经开发出一种电介质，这种薄膜电容器现在可以在最高 +125°C 的温度下使用，而非 +105°C，其绕组结构也得到了优化。

Power Integrations

»Wir schützen unsere IP mit aller Konsequenz!«

Seit bekannt wurde, dass Power Integrations (PI) in der jüngsten Generation seiner…

Leistungswandler - Teil 4

Gekoppelte Induktivitäten und ihre Anwendungen

Im vierten Teil der Serie über gekoppelte Induktivitäten stellt Dr. Heinz Zenkner einen…

Taiyo Nippon Sanso

Kostengünstig GaN-Substrate herstellen

Heute werden GaN-Halbleiter auf einem Siliziumsubstrat aufgewachsen. Doch schon seit…

Comment / Silicon Carbide

Quest for Controlling the Supply Chain

Gregg Lowe's announcement at PCIM 2019 to invest one billion Dollars into expanding Cree's…

Kommentar / Siliziumkarbid

Kampf um die Hoheit über die Lieferkette

Gregg Lowes Ankündigung auf der PCIM 2019, eine Milliarde Dollar in den Ausbau der…

Heterogene Integration

Chiplets – Chance für die europäische Industrie

Speziell auf die Anforderungen der europäischen Industrie zugeschnitten will das…

STMicroelectronics

SiC-Hersteller Norstel übernommen

STMicroelectronics hat jetzt den schwedischen SiC-Wafer-Hersteller Norstel zu 100 Prozent…

Winbond-Tochter übernimmt

Panasonic verkauft IC-Geschäft nach Taiwan

Panasonic Semiconductor Solutions geht an die taiwanische Nuvoton, an der Winbond einen…

„pinMOS“

Neuer Speicher funktioniert optisch und elektrisch

Forscher der TU Dresden haben einen neuen Speicher entwickelt, der aus einer Kombination…