Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Ausfalltests für Galliumnitrid-HEMTs

Zuverlässiger als Silizium-MOSFETs

Ihren elften Zuverlässigkeitsbericht ihrer GaN-Bauteile hat EPC (Efficient Power Conversion) veröffentlicht. Dieser dokumentiert eine kumulierte Felderfahrung von 123 Milliarden Betriebsstunden über zehn Jahre und fünf Bauteilgenerationen.

Exklusive Branchenumfrage

Was die Automotive-Krise für die Bauelemente-Hersteller bedeutet

Die drastischen Einbrüche in der Automobilproduktion haben aktuell sehr unterschiedliche…

Forschung für THz-Halbleiter

Joint Lab für Höchstfrequenz-Halbleiter gegründet

Wissenschaftler der Universität Duisburg-Essen und dem Ferdinand-Braun-Institut,…

Research for THz semiconductors

Joint Lab for very high frequency semiconductors established

Scientists from the University of Duisburg-Essen and the Ferdinand-Braun-Institut,…

Deutsche Elektronik-Mittelstand

Produktion mit Sicherheitsabstand

Sie bilden auch in der aktuellen Corona-Krise das Rückgrat der deutschen Wirtschaft:…

Siliziumkarbid für die Industrie

Mehr Leistungsdichte für Elektroautos, Datenzentren und Industrie

Der Halbleiterhersteller Cree hat neue 650-V-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid auf den…

PMIC-Referenzdesigns

FPGAs und SoCs schneller unter Strom setzen

Renesas präsentiert drei einfach anzuwendende PMIC-Referenzdesigns (Power Management IC)…

Exklusive Branchenumfrage

Wie die Corona-Krise die Medizintechnik herausfordert

In der Corona-Krise ist der Bedarf an medizintechnischen Produkten schlagartig explodiert.…

Siliziumkarbid auf dem Vormarsch

Microchip nimmt SiC-Leistungsmodule ins Programm

Microchip nimmt neue SiC-Leistungsmodule ins Portfolio und setzt auf die weiter wachsende…

Offensive in Sachen Wideband-Gap

ST gibt Vollgas

Mit massiven Investitionen in seine SiC- und GaN-Produktionskapazitäten will…