Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Leistungshalbleiter / Galliumnitrid

Nun startet auch Nexperia ins GaN-Zeitalter

Nach zehnjähriger Entwicklungszeit startet Nexperia mit einem 60-mΩ-HEMT seine Serie an GaN-on-Si-Transistoren. Zielmarkt für die für 650-V-Bauteile sind Elektro- und Hybridfahrzeuge.

Nexperia

GaN-FET mit hohem Wirkungsgrad

Nexperia bringt GaN-Feldeffekttransistor mit hohem Wirkungsgrad auf den Markt. Der GaN-FET…

Stabiler Betrieb bei hohen Temperaturen

200-V-SBDs mit geringen Leckströmen

Für Automobilanwendungen bringt Rohm 200-V-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) mit besonders…

Alpha und Omega Semiconductor

TSV mit niedriger Klemmspannung und hohem Stromstoßwert

Die neue Serie von Transient Voltage Suppressor (TVS) Dioden für den VBUS-Schutz ist…

Partnerschaft im SiC-Bereich

Cree arbeitet mit ABB zusammen

Cree erweitert sein Netz am Partnerschaften im SiC-Bereich und liefert in Zukunft…

Anforderungen krempeln Prozesse um

IC-Design im KI-Zeitalter

Warum die Übernahme von Mentor durch Siemens für 4,5 Mrd. Dollar sinnvoll war und was…

Mit mSure-Diagnosetechnik

Digitaler Stromzähler mit Manipulationserkennung

In vielen Weltregionen verursacht Stromdiebstahl Energieversorgern erhebliche…

Rohm: Neuer Buck-Boost-DC/DC-Wandler

Batterien laufen länger

Rohm kündigt die Verfügbarkeit eines Buck-Boost-Wandler-ICs mit integrierten MOSFETs an.…

Joint Project "ForMikro-GoNext"

Driving Gallium Oxide for Vertical Power Semiconductors

The ForMikro-GoNext joint project examines beta-gallium oxide. Participants include the…

Primärseitige Leistungsschalter mit GaN

Erweiterter Leistungsbereich

Im Juli 2019 präsentierte Power Integrations neue Mitglieder seiner Offline-CV/…