Produkt

Nexperia / Galliumnitrid

Neues SMD-Gehäuse für höhere thermische Performance

Zusammen mit der zweiten Generation an GaN-Transistoren hat Nexperia auch das neue CCPAK präsentiert. Damit sollen die thermische Performance und die Zuverlässigkeit der 650-V-Bauelemente mit einem On-Widerstand von 33 mΩ steigen.

Verbesserte Reichweite für Elektromobile

Vitesco und ROHM kooperieren bei Siliziumkarbid-Halbleitern

Vitesco Technologies, die Antriebssparte von Continental hat mit ROHM Semiconductor eine…

Stark gestiegene Ansprüche

Was Automotive-Halbleiter zukünftig leisten müssen

Bereits heute werden in Fahrzeugen Daten aus verschiedenen Sensoren fusioniert. Denn jede…

Infineon / Siliziumkarbid-MOSFETs

Verschiedene Treiberoptionen für CoolSiC evaluieren

Um das Schaltverhalten von CoolSiC-MOSFET mithilfe des Doppelpulstests zu untersuchen, hat…

Neue 1200-V-SiC-MOSFET-Familie

AOS bietet jetzt auch MOSFETs aus Siliziumkarbid

Nach erfolgreichen Langzeittests mit Siliziumkarbid-Technologie erweitert Alpha und Omega…

Interview mit Dr. Richard Dixon, IHS

Mehr Sensoren in weniger Autos

Unter dem Eindruck der Corona-Pandemie rechnet Dr. Richard Dixon, Senior Principal Analyst…

Analog Devices

Neue Zweikanal-4A/8,5A/2A-Synchron-Abwärtsregler

Die neuen Synchron-Abwärtsregler der Silent-Switcher-Serie von Analog Devices empfehlen…

Siliziumkarbid

Forscher lernen mehr über SiC-Defekte

Die Defektdichte bei SiC-Wafern zu senken, ist eine große Herausforderung. Nun hat ein…

Energy Harvesting

Geringe Chancen gegen billigere Alternativen

Überall ist von Milliarden verbundener Geräte und dem IoT die Rede. Kann dieser Trend…

Littelfuse / SiC-MOSFETs

Wie robust ist Siliziumkarbid im Kurzschlussfall?

Der Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) kann Leistungsumrichter wesentlich…