Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Marktüberblick zu SiC und GaN

Yole: »2020 wird das GaN-Jahr!«

Die Welt der Leistungselektronik gilt als sehr konservativ. Doch mittlerweile haben SiC und GaN diese Welt gewaltig verändert. Wie Yole Développement in ihrem aktuellen Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor zeigt, holt GaN gegenüber SiC…

Siliziumkarbid / Foundry-Services

X-FAB fügt eigene SiC-Epitaxie hinzu

Neben dem weiteren Ausbau der Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid (SiC) fügt X-FAB…

VisIC / 100-kW-Traktionsumrichter

GaN macht Elektromobilität kostengünstiger

Gemeinsam mit der University of Texas in Austin hat VisIC Technologies ein Referenzdesign…

JEDEC / Galliumnitrid

Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren bewerten

Mit der JEP180 hat die JEDEC eine Richtlinie veröffentlicht, mit deren Hilfe sich die…

Fegt Tesla die etablierten OEMs hinweg?

Was am Vorsprung tatsächlich dran ist

Ob es gerechtfertigt ist, Newcomern wie Tesla einen Vorsprung von sechs Jahren zu…

Power Integrations

Robuste GaN-basierte InnoSwitch3-ICs nach unten erweitert

Die bisherigen InnoSwitch3-Familien von Power Integrations zielen auf Leistungen von bis…

Efficient Power Conversion (EPC)

Monolithic GaN Half-Bridge with Driver for 80 V/12.5 A

Efficient Power Conversion (EPC) has introduced the EPC2152, its first member of the new…

Efficient Power Conversion (EPC)

Monolithische GaN-Halbbrücke mit Treiber für 80 V/12,5 A

Mit dem EPC2152 hat Efficient Power Conversion (EPC) das erste Mitglied der neuen…

Kaskadierbarer DC/DC-Abwärtswandler

Leistungsdichte für FPGA- und Prozessor-Stromversorgungen

Der neue 40 A SWIFT DC/DC-Abwärtswandler von Texas Instruments bietet als erster Baustein…

Für 450 Mio. US-Dollar

SK Siltron übernimmt SiC-Wafer-Sparte von DuPont

SiC-Wafer sind das Ausgangsmaterial für Leistungshalbleiter für Elektroautos und 5G-Netze.…