Produkt

Infineon / Siliziumkarbid-MOSFETs

Verschiedene Treiberoptionen für CoolSiC evaluieren

Um das Schaltverhalten von CoolSiC-MOSFET mithilfe des Doppelpulstests zu untersuchen, hat Infineon nun eine modulare Evaluierungsplattform herausgebracht. Dies soll die Markteinführungszeit für zahlreiche Anwendungen verkürzen und somit…

Neue 1200-V-SiC-MOSFET-Familie

AOS bietet jetzt auch MOSFETs aus Siliziumkarbid

Nach erfolgreichen Langzeittests mit Siliziumkarbid-Technologie erweitert Alpha und Omega…

Interview mit Dr. Richard Dixon, IHS

Mehr Sensoren in weniger Autos

Unter dem Eindruck der Corona-Pandemie rechnet Dr. Richard Dixon, Senior Principal Analyst…

Analog Devices

Neue Zweikanal-4A/8,5A/2A-Synchron-Abwärtsregler

Die neuen Synchron-Abwärtsregler der Silent-Switcher-Serie von Analog Devices empfehlen…

Siliziumkarbid

Forscher lernen mehr über SiC-Defekte

Die Defektdichte bei SiC-Wafern zu senken, ist eine große Herausforderung. Nun hat ein…

Energy Harvesting

Geringe Chancen gegen billigere Alternativen

Überall ist von Milliarden verbundener Geräte und dem IoT die Rede. Kann dieser Trend…

Littelfuse / SiC-MOSFETs

Wie robust ist Siliziumkarbid im Kurzschlussfall?

Der Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) kann Leistungsumrichter wesentlich…

Exklusive Branchenumfrage

Der Automotive-Markt aus Sicht der Bauelementezulieferer

Die Lager sind gut gefüllt - das ist die gute und gleichzeitig auch die schlechte…

GaN im Test gegen Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter für Elektrofahrzeuge

Die Elektrisierung des Autos braucht Leistung. Galliumnitrid-Transistoren bedienen die…

Dr. Steffen Metzger, Infineon

Warum SiC-MOSFETs für 650 Volt?

Mitte Februar 2020 hat Infineon seine Siliziumkarbid-MOSFETs mit einer Serie mit 650 V…