Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Heraeus

Kupfer-Bondbändchen für SiC-Module

Die neuen Kupfer-Bondbändchen von Heraeus ermöglichen es, Leistungsmodule zuverlässiger, wirkungsvoller und kostengünstiger zu designen und herzustellen als mit Aluminiumbändchen.

DFN- und SOT-Packages im Vergleich

Welchen Einfluss hat das Chip-Package auf die Wärmeableitung?

Der Vergleich von Chip-Packages ohne Anschlussbeinchen (dafür mit Heatsink) und den…

"CoolSiC" makes it possible

400 kW station charges electric cars in 10 minutes

Ingeteam's new 400 kW charging station uses Infineon's "CoolSiC" MOSFETS to charge…

»CoolSiC« macht´s möglich

400-kW-Station lädt E-Autos in 10 Minuten

Die neue 400-kW-Ladestation von Ingeteam nutzt die »CoolSiC«-MOSFETS von Infineon, um…

Fraunhofer IAF

GaN-on-Si Half-Bridge for 600 V Embedded Into a PCB

Researchers at the Fraunhofer IAF have integrated their monolithically integrated GaN…

Fraunhofer IAF

GaN-auf-Si-Halbbrücke für 600 V in Platine integriert

Forscher des Fraunhofer IAF haben ihre monolithisch integrierten GaN-Power-ICs mittels…

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die…

SiC-MOSFET-Halbleiter

40 % weniger Einschaltwiderstand für Elektrofahrzeuge

SiC-MOSFETS in Elektroautos verprechen hohe Wirkungsgrade, weniger Verluste und am Ende…

Ansteuerung von LEDs

Moderne Beleuchtungslösungen für Automobilanwendungen

Bei Scheinwerfern und Rückleuchten kommen vermehrt Produkte zur automatischen…

Silizium-, SiGe- und GaN-Komponenten

Konsequenter Portfolio-Ausbau

650-V-GaN-FETs, SiGe-Gleichrichter und ein weiterer Ausbau des AEC-Q101-qualifizierten…