Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Leo Lorenz, ECPE, Siilicon Carbide, Gallium Nitride
© Componeers GmbH

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern in leistungselektronischen Anwendungen«. Wir fragten Prof. Leo Lorenz, in welchen Anwendungen diese die siliziumbasierten Halbleiter verdrängen werden. Seine Antwort fällt vorsichtig aus.

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