Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Standort Europa gestärkt

Nexperia investiert 700 Mio. US-Dollar vor allem in Europa

Nach der Investition in eine 300-mm-Fab nahe Shanghai legt Nexperia nach. In den nächsten zwölf bis 15 Monaten will das Unternehmen 700 Millionen US-Dollar vor allem in die europäischen Wafer-Fabs stecken.

Vorgehen der Bauelementehersteller

Priorisiertes Investment in Automotive-Kapazitäten

Von der Verwaltung des Mangels zu einem priorisierten Investment in...

Investitionsprogramm

250 Milliarden für die US-Halbleiterindustrie

Mit einem 250 Milliarden Dollar schweren Investionsprogramm wollen die Demokraten die...

Rohm Semiconductor plant Investitionen

»Wir legen unseren Fokus auf Analog-Power- und Power-Produkte«

Im April hat Wolfram Harnack als President die Verantwortung bei Rohm Semiconductor...

Rohm Semiconductor

150-V-GaN-Transistor mit 8 V Gate-Spannung

Galliumnitrid-Transistoren reagieren äußerst empfindlich auf zu hohe Gate-Spannungen....

Imec und Aixtron

GaN-Epitaxie für 1200-V-Anwendungen demonstriert

Das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid-Pufferschichten für 1200-V-Anwendungen auf...

EPFL / Power Electronics

GaN Nanotransistors Withstand High Voltages

Based on two innovations, a team at EPFL has developed nanotransistors made of gallium...

Neues Leistungsmodul, neue Firmware

Yokogawa erweitert Leistungsanalysator-Flaggschiff

Der Leistungsanalysator WT5000 von Yokogawa hat ein neues Leistungsmodul mit...

EPFL / Leistungselektronik

GaN-Nanotransistoren halten hohen Spannungen stand

Mithilfe zweier Innovationen hat ein Team der EPFL Nanotransistoren aus Galliumnitrid...

Kontroverse um die EU-2-nm-Foundry

Eine Superidee – aber auch realistisch?

Über Jahrzehnte ist der Anteil der europäischen Halbleiter-Fertigung stetig...