Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Erste Erfolge im EU-Projekt YESvGaN

Vertikale GaN-Transistoren zu Kosten von Silizium

Laterale GaN-auf-Silizium-HEMTs sind mittlerweile breit am Markt verfügbar. Vertikale GaN-Leistungstransistoren, wie sie bei Silizium und Siliziumkarbid (SiC) üblich sind, bergen große Herausforderungen. Das EU-Projekt YESvGaN will daran arbeiten, und nach einem Jahr zeigen sich erste Erfolge.

Infineon Austria/Universität Zagreb

Kooperation für energiesparende Mikroelektronik

Infineon Technologies Austria und die Fakultät für Elektrotechnik und Informatik (FER)...

Wachstum bei Monolithic Power Systems

Erfolg durch Diversifizierung

Fundiertes Wissen auf Systemebene, hohe Kompetenz im Halbleiterdesign und innovative,...

Markt&Technik-RT Leistungshalbleiter

Von der Allokation zum Soft Landing

Niemand zweifelt mehr an einer bevorstehenden weltweite Rezession. Aber bei den...

Design-in-Unterstützung für SiC-MOSFETs

Entwicklungskit für Totem-Pole-PFC-Anwendungen

Rohms SiC-MOSFETs der 4. Generation bieten bis zu 50 Prozent geringere Schaltverluste...

Mittlerer und unterer Leistungsbereich

Bessere QR/FF-Sperrwandler sind machbar

LED-Treiber, Ladegeräte und andere Anwendungen auf Basis von Sperrwandlern brauchen...

Vergleich verschiedener PFC-Topologien

Bringt Totem Pole wirklich was?

Durch die Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN lässt sich nun auch die...

Weitere Milliarden für SiC-Fertigungen

Hoffen auf ein Soft Landing

Seit Mitte des Jahres schwächt sich das Wachstum des deutschen...

Hochintegrierte Motorantriebs-ICs

Mit integrierter Systemfehlerdiagnose

Power Integrations bringt mit der BridgeSwitch-Produktlinie Motorantriebs-ICs auf den...

DC/DC-Wandler im MicroModul-Format

Kompakt und leistungsfähig

Enger Raum setzt kompakte DC/DC-Wandler mit sehr gutem thermischem Verhalten voraus....