Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba

Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt

Um 20 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration hat Toshiba die Schalt- und Durchlassverluste der vierten Generation an SiC-MOSFETs reduzieren können. Möglich macht dies eine neue Bauelementestruktur. Noch im August 2022 soll die Serienfertigung…

onsemi expandiert bei Siliziumkarbid

Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache

Mit einer neuen Materialfertigung in Hudson, New Hampshire, hat onsemi die Kapazität für…

GaN-Marktführer diversifiziert sich

Navitas übernimmt GeneSiC

Mit der Übernahme des SiC-Pioniers GeneSiC will sich Navitas hin zu höheren Leistungen…

Novel Gallium Nitride Devices

Driving GaN HEMTs as Simple as Silicon MOSFETs

Currently available GaN technologies have their shortcomings. These are discussed in the…

Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Aktuell verfügbare GaN-Technologien haben ihre Schwachstellen. Diese werden im folgenden…

Fertigungsausbau: Halbleiter-Foundries

Neue 300-mm-Fabs fokussieren auf größere Prozessknoten

Da der Ausbau der Fertigungskapazitäten bei 200-mm-Fabs nicht kosteneffizient ist,…

Anwendungen mit Akkus

Mit dem »richtigen« Halbleiter das Design optimieren

Wiederaufladbare Batterien werden in einer Vielzahl von Geräten eingesetzt – von ganz…

Backup-Systeme

Wenn die Lichter nicht ausgehen dürfen

Die Anzahl der Systeme, die ständig und ohne Unterbrechung verfügbar sein müssen, nimmt…

Abgestrahlte/leitungsgebundene Störungen

Bitte nicht stören!

Ein Knacken im Radio, wenn der Kühlschrank anspringt, ist das eine; setzen Störfelder…

Know-how-Transfer in Präsenz

6. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Am 9. und 10. November ist es endlich wieder soweit!