Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm

Tiefe Einblicke in die Gen 4

Vor kurzem hat Rohm Semiconductor seine vierte Generation an Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) auf den Markt gebracht. Doch halten diese Bauelemente, was der Hersteller verspricht? PGC Consultancy und TechInsights haben sich das genauer angesehen.

Alfred Hesener, Navitas Semiconductor

»Our GaN Half Bridges Can Do More«

Recently, Navitas has introduced GaN half-bridge ICs that can operate at switching…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid…

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des Materials…

Alfred Hesener, Navitas Semiconductor

»Unsere GaN-Halbbrücken können mehr«

Navitas hat nun GaN-Halbbrücken-ICs vorgestellt, die Schaltfrequenzen im MHz-Bereich…

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)

Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden

Auch wenn die Nachfrage nach SiC-MOSFETs rasant wächst, bleiben Fragen zu den…

Spitzenforschung bei Leistungselektronik

Valeo und CEA arbeiten an der Elektromobilität von morgen

Valeo und CEA, die französische Kommission für alternative Energien und Atomenergie,…

Verbundhalbleiter

Endlich raus aus der Nische!

Verbundhalbleiter? Teuer, kommen nur in Frage, wo Silizium keinesfalls ausreicht, nichts…