Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

SiC-MOSFETs mit 1700 V Sperrspannung

Keine Kompromisse mehr nötig

Bei leistungselektronischen Anwendungen mit hohen Spannungen müssen Entwickler eine Reihe Kompromisse eingehen, wenn sie siliziumbasierte Bauelemente einsetzen – besonders beim Wirkungsgrad und der Größe. Seitdem SiC-MOSFETs mit 1700 V Sperrspannung…

Leistungshalbleiter-Markt

»Das Marktwachstum geht deutlich zurück«

Nachholeffekte sorgten 2021 für ein Marktwachstum des Leistungshalbleitermarktes um fast…

»Die Gehaltsformel der Elektronik«

Über den Wert von Innovation 

Lust auf Leistungselektronik, »made in Südtirol«? Der »hypercharger« ist eine…

6. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Informationsaustausch auf Augenhöhe

Am 9. und 10. November 2022 findet das sechste Anwenderforum Leistungshalbleiter im…

Kühlkörper fahren mit

Vom Scheinwerfer bis zum Navi – Überhitzung vermeiden

Moderne Kraftfahrzeuge sind mit vielen rechnergesteuerten Systemen ausgestattet. Damit die…

Schnell laden an jedem Ort

Onboard-Konvertierung sorgt für Kompatibilität von 800-V-Autos

Die Inkompatibilität zwischen der Ladeinfrastruktur und 800-V-Fahrzeugen ist mittlerweile…

Halbleitertechnologie

Dekarbonisierung und Digitalisierung als Wachstumstreiber

Die Mikroelektronik hat unsere Welt revolutioniert und dabei enorme Fortschritte für…

Vom MOSFET-Erfinder zum GaN-Pionier

Die zwei Leben des Alex Lidow

Was Alex Lidow im Bereich Leistungshalbleiter erreicht hat, genügt für zwei Leben. Er hat…

On-Board-Ladegeräte

Galliumnitrid für höchste Leistungsdichten

Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (GaN) eignen sich besonders für Bord-Ladegeräte…

Prof. Leo Lorenz im Interview

Faszination Leistungselektronik

Seit Ende der 1970er-Jahre hat Leo Lorenz maßgeblich am MOSFET, am IGBT, am CoolMOS und an…