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Leistungs-MOSFETs mit niedrigem On-Widerstand

22. Januar 2010, 11:36 Uhr | Stephan Janouch, Elektronik automotive

NEC Electronics Europe hat unter der Produktbezeichnung NP180N04TUJ bzw. NP180N055TUJ neue Low-Voltage-Power-MOSFETs vorgestellt, die im eingeschalteten Zustand über einen Drain-Source-Widerstand von nur 1,5 bzw. 2,3 mOhm verfügen.

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Die neuen Produkte basieren auf der SuperJunction1-Technologie, bei der die Gate-Ladung und die Eingangskapazität, verglichen mit der konventionellen UMOS-4 Trench-Technologie, um mehr als 40 Prozent reduziert werden konnten.

Architektur und Gehäuse-Design der neuen Transistoren sorgen für eine effektive Wärmeableitung und die Absenkung der Verlustleistung. Die Bausteine sämtliche Anforderungen von Hochleistungsanwendungen wie EPS (Electric Power Steering) und ISG (Integrated Starter Generator), die auf das Schalten hoher Ströme angewiesen sind. Derzeit werden acht Bausteine in der SuperJunction1-Prozesstechnologie mit einer Strukturbreite von nur 0,35 µm gefertigt.

Für vier in Entwicklung befindliche Bausteine ist zusätzlich das TO-263-7-Gehäuse vorgesehen, das Drain-Ströme von bis zu 180 A verträgt. Alle Mitglieder der NP-Serie sind nach AEC-Q101 qualifiziert und unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C.

Muster der neuen Bausteine NP160N04TUJ, NP180N04TUJ, NP160N055TUJ und NP180N055TUJ sind auf Anfrage erhältlich. Der Start der Massenproduktion ist für Mai 2010 eingeplant.