Renesas Electronics
Power MOSFET Produkte im 8-Pin-HSON-Gehäuse
Renesas Electronics hat sieben neue Metalloxid-Feldeffekt-Leistungstransistorprodukte (MOSFETs) im HSON-Gehäuse auf den Markt gebracht, die sich für den Einsatz in Automobilelektronik-Steuersystemen, wie etwa für die Steuerung einer Direkteinspritzung oder für die Kontrolle elektrischer Motorpumpen, eignen.
Zu den neuen Produkten gehören N-Kanal MOSFETs mit Durchbruchspannungen von 40 und 60 V sowie P-Kanal MOSFETs mit Durchbruchspannung von -30 V. Die Bausteine eignen sich zur Steuerung von Magnetventilen, zum Schalten von Motoren, oder als Schutz gegen verpolte Batterieverbindungen. Kennzeichnend für die neuen Produkte sind folgende Merkmale:
- Das neu entwickelte HSON-Gehäuse mit 8 Pins belegt nur 48 Prozent der Fläche herkömmlicher TO-252 Gehäuse. Trotz des kompakten Formats bietet der Power MOSFET NP75N04YUG mit nur 1,09 °C/W einen niedrigen thermischen Widerstand zwischen Kanal und Gehäuse. Der Baustein kann daher bei einer auf 25 °C gehaltenen Gehäusetemperatur eine maximale Dauerleistung von 138 W liefern;
- Die Power MOSFETs NP74N04YUG, NP75N04YUG und NP75P03YDG können Ströme bis 75 A schalten. Mehrfach-Verbindungen aus Aluminium sowie eine bewährte Technologie für Automotive-MOSFET Gehäuse ermöglichen einen verbesserten Hochstrombetrieb.
- Die sieben neuen Bausteine aus der NP-Serie von Power MOSFETs sind für Kanaltemperaturen bis 175 °C spezifiziert und nach AEC-Q101 qualifiziert. Diese MOSFET-Produkte eignen sich auch zum Einsatz in Hochtemperaturumgebungen wie etwa im Motorraum.
Muster der neuen Power MOSFETs von Renesas Electronics sind ab sofort erhältlich; die Serienfertigung der Bauteile beginnt voraussichtlich im August 2010.
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