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Hot-Swap-fähige Leistungs-MOSFETs

18. Januar 2013, 11:54 Uhr | Ramona Jeßberger
Die NextPower Live-Serie hat NXP mit dem Fokus auf die Hot-Swap-Fähigkeit der MOSFETs entwickelt.
© NXP

NXP Semiconductors hat mit der NextPower-Live-Serie eine Leistungs-MOSFET-Familie entwickelt, die sich durch ihre Eigenschaften im linearen Betriebsbereich speziell für den Einsatz in Hot-Swap-Umgebungen eignen.

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Die NextPower Live-Serie enthält MOSFETs für Spannungen bis zu 30 V für den Einsatz in Servern mit einer 12-V-Spannungsversorgung und für Spannungen bis zu 100 V im Telekommunikationsbereich mit Spannungen bis zu 48 V. Der Durchgangswiderstand RDS(on) beträgt je nach Version und Spannungsbereich zwischen 1,5 und 13 mΩ. Die MOSFETs für beide Spannungsbereiche sitzen in einem D2PAK und einem Power-S08-kompatiblen LFPAK56-Gehäuse.

Um mit dem plötzlichen Stromfluss zurechtzukommen, der auftritt wenn ein Ersatzboard an ein laufendes-System angeschlossen wird, schaltet ein Controller den MOSFET langsam an. Der Transistor verhält sich dann zunächst wie ein Spannungsabhängiger Widerstand und begrenzt damit den Strom.

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