Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Puls

MOSFETs sorgen für effiziente Redundanz

Puls bietet seit kurzem seine platzsparenden DIN-Schienen MOSFET Redundanz Module für N+1 und 1+1 redundante Systeme mit 12 bis 28 V 40 und 80 A sowie für 24 bis 56 V, 40 A an.

Elektronische Bauelemente und Baugruppen

Zwischen vier und fünf Prozent Wachstum sind machbar

Für die im deutschen Markt produzierten und verwendeten elektronischen Bauelemente…

20 Jahre Standort Dresden

Ein Blick in Infineons 300-mm-Fertigung

Anlässlich des Jubiläums »20 Jahre Standort Dresden« erlaubte Infineon einem ausgewählten…

MOSFET/IGBT

200 °C, RoHS-konform und halogenfrei

Ob RoHS-konforme und halogenfreie Leistungs-MOSFETs, SiC-Bausteine bis 200 °C oder aber…

IGBT-Module

Schnell schalten ohne Filter- und Schutzlösungen

17-mm-IGBT-Module haben sich in Industrie-Antrieben durchgesetzt. Die neuen Generationen…

Nachlese PCIM Europe

GaN-on-Silicon klebt SiC an den Fersen

Wide-Bandgap-Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) bieten einige…

PCIM 2014

Leistungselektronik für Automotive - wertvoll wie nie

Vom 20. bis 22. Mai 2014 drehte sich auf dem Messezentrum 1 wieder alles um die…

FSB70xxx-Serie

Fairchild Smart Power Module ermöglicht effiziente Motorendesigns

Kleinmotoren mit einer Leistung unter 100 Watt wie Klimageräte, Geschirrspüler, Lüfter…

Siliziumkarbid

Dow Corning bietet SiC-Wafer in unterschiedlichen Qualitätsstufen

In drei Kristallqualitäten mit neuen Sortiertoleranzen bietet Dow Corning künftig seine…

GaN-Leistungshalbleiter

Transphorm lizenziert GaN-Patente von Furukawa Electric

Transphorm hat von Furukawa Electric eine alleinige weltweite Lizenz für deren…