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Mouser Electronics

Weltweites Exklusivabkommen mit GaN Systems

10. September 2014, 9:47 Uhr | Ralf Higgelke

Mouser Electronics vertreibt nun die Hochleistungstransistoren auf Galliumnitrid-Basis von GaN Systems. GaN Systems möchte damit die Verbreitung und Anwendung der GaN-Technik durch Entwickler und Systemingenieure unterstützen und fördern.

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Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und weist physikalische Eigenschaften auf, die es im Vergleich zu Siliziumbauteilen für viele Anwendungen, wie z.B. Leistungswandlungssysteme, sehr viel geeigneter machen. Durch den außergewöhnlich niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und einer vernachlässigbaren Ladungsspeicherung ermöglichen diese Transistoren Schaltwirkungsgrade, die weit über denen heutiger siliziumbasierter Lösungen liegen. Dies kann enorme Vorteile bei Schaltnetzteilen, Wechselrichtern, Wechselrichtern in Hybrid- und Elektrofahrzeugen, beim Akkumanagement und bei der Leistungsfaktorkorrektur bieten.

Die proprietäre »Island Technology« ist das Herzstück von GaN Systems. Dadurch sind Zellenlayouts möglich, die eine höhere Waferausbeute (Yield) bedeuten. Somit sinken Kosten und Größe des Transistors, wobei gleichzeitig die Leistung steigt. Bei der Aufbau- und Verbindungstechnik »GaNPX« kommen keine Bonddrähte zum Einsatz, was zu geringeren Induktions- und besseren Wärmeleitwerten bei höherer Zuverlässigkeit führt. Das Transistor-Package ist kaum größer als der Chip selbst.

Zu den ersten demnächst bei Mouser Electronics erhältlichen Produkten gehört der 100-V-Anreicherungstransistor »GS61008«, der bei 80 A Dauerstrom und +150 °C noch einwandfrei arbeitet und einen R_DS(on) von 5,6 mΩ aufweist. Der »GS66508« ist ein als Anreicherungstyp ausgelegter 650-V-Transistor, der bei +150 °C noch seinen Dienst versieht. Er ist dauerhaft strombelastbar bis 34 A und besitzt einen Einschaltwiderstand von 41 mΩ.