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Leistungshalbleiter-ICs

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen.

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V...

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 1: Unerwartet holprige Geschäftsentwicklung

In den letzten Jahren war der Boom der Leistungshalbleiter ungebrochen, die jährlichen...

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und...

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer...

Verpresste Spulen

Spannungsspezifikation steigert Zuverlässigkeit

Steigende Stromdichten und kurze Schaltzeiten in MOSFETs führen zu höheren...

CoolSiC-MOSFETs 3300 V

Infineon für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

Infineon Technologies ist für die Entwicklung eines MOSFETs auf SiC-Basis für den...

Infineon: »an industry game-changer«

World’s first 300 mm power GaN technology

Infineon Technologies announced that the company has succeeded in developing the...

Durchbruch bei Infineon

GaN auf 300-mm-Wafern

Infineon Technologies ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid...

ROHM/UAES

Long-Term Supply Agreement for SiC Power Devices

ROHM and United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., (UAES), a leading Tier 1...