Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Forschung für Satellitenkommunikation

GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker

Im Projekt »Magellan« entwickeln Forschende des Fraunhofer IAF gemeinsam mit UMS und TESAT im Auftrag der ESA bis 2027 neuartige effiziente GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker für LEO- und GEO-Kommunikationssatelliten mit hohem Datendurchsatz.

Integration in Traktionswechselrichtern

Rohm SiC-MOSFETS in EV-Modellen des ZEEKR von Geely

Rohm stellt Leistungsmodule mit SiC-MOSFET-Chips der 4. Generation für die Produktion...

Vishay

MOSFET-Treiber für hohe Temperaturen

Seit kurzem sind bei Rutronik die Power MOSFETs der Vishay E-Serie SIHD180N60ET4-GE3...

Accelerate growth in China

Wise-integration Creates Subsidiary in Hong Kong

Wise-integration, a French pioneer in digital control of gallium nitride (GaN) and GaN...

Industrielles Elektronikdesign

Galvanische Isolation sicher, schnell und kompakt

In zahlreichen Anwendungen sind Schaltungen für Hoch- und Niedervoltspannungen...

Thermische Modellierung

Nennstrom applikationsabhängig bestimmen

Eine Bestimmung des Nennstroms für Leistungsinduktivitäten in einer Anwendung erlaubt...

Entwickler- und Einkäufertage

CALL FOR PAPERS: Passive Bauelemente & Leistungshalbleiter

Zwei Themenbereiche, die für eine effiziente und leistungsfähige Leistungselektronik...

Investment volume of 2 billion euros

Infineon opens SiC power semiconductor fab in Malaysia

Infineon Technologies has officially opened the first phase of a new fab in Malaysia...

2-Mrd.-Euro-Investition

Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia

Infineon Technologies hat in Malaysia die erste Phase einer neuen Fertigung eingeweiht....

Passive BE & Leistungshalbleiter

Entwickler- & Einkäufertage: Call for Papers gestartet

Jetzt Vortragsvorschläge einreichen: Am 27. und 28. November veranstaltet die...