Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Investment volume of 2 billion euros

Infineon opens SiC power semiconductor fab in Malaysia

Infineon Technologies has officially opened the first phase of a new fab in Malaysia that will become the world’s largest and most competitive 200-millimeter silicon carbide (SiC) power semiconductor fab.

2-Mrd.-Euro-Investition

Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia

Infineon Technologies hat in Malaysia die erste Phase einer neuen Fertigung eingeweiht.…

Passive BE & Leistungshalbleiter

Entwickler- & Einkäufertage: Call for Papers gestartet

Jetzt Vortragsvorschläge einreichen: Am 27. und 28. November veranstaltet die…

GaN

Infineon weitet Patentverletzungsklage gegen Innoscience aus

Infineon Technologies hat am 23. Juli 2024 die vor dem Bezirksgericht im Northern District…

Wertschöpfungskette steht

Leistungshalbleiter mit Aluminiumnitrid – made in Germany

Deutsche Forschungspartner demonstrieren erstmals die praktische Umsetzung einer…

Offene oder geschlossene Regelschleife?

Arbeitspunktregelungen in 5G-Basisstationen

Moderne Leistungsendstufen für Basisstationen verwenden eine separate…

Das Angebot wird größer

Komponenten rund um GaN

Das Marktforschungsunternehmen Yole Group prognostiziert, dass der…

Besseres Systemdesign bei DC/DC-Wandlern

Spitzenwirkungsgrade bis 97 Prozent

Mit microBrick vereinfacht Vishay den Aufbau eines hocheffizienten DC/DC-Wandlers mit…

GaN-basiertes Leistungsmodul

Hoher Wirkungsgrad, klein, kostengünstig und leise

Texas Instruments (TI) hat mit dem DRV7308 laut eigener Aussage das industrieweit erste…

Projekt »MarrakEsH«

Grüner Wasserstoff und DC-Kopplung im Fokus

Für die effiziente Energieversorgung auf Basis von grünem Wasserstoff müssen Erzeuger und…