Fraunhofer IAF
1200-V-GaN-HEMTs für die Energiewende
Das Fraunhofer IAF entwickelt neuartige Technologien für laterale und vertikale GaN-Transistoren mit Sperrspannungen über 1200 V. Die Vorteile und den aktuellen Entwicklungsstand dieser GaN-Technologien präsentiert das Institut auf der PCIM Europe…