Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

© Fraunhofer IAF

Fraunhofer IAF

1200-V-GaN-HEMTs für die Energiewende

Das Fraunhofer IAF entwickelt neuartige Technologien für laterale und vertikale GaN-Transistoren mit Sperrspannungen über 1200 V. Die Vorteile und den aktuellen Entwicklungsstand dieser GaN-Technologien präsentiert das Institut auf der PCIM Europe…

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© imec

NanoIC-Pilotlinie in Belgien gebaut

Europa setzt auf IC-Fertigung mit Strukturgrößen unter 2 nm

Auf dem diesjährigen imec-Technologieforum ITF World 2024 in Antwerpen gab Luc Van den…

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© Uwe Mühlhäußer/Mesago

PCIM Europe 11. bis 13. Juni

In der Herzkammer der Leistungselektronik

Einmal mehr trifft sich die Welt der Leistungselektronik in der Frankenmetropole Nürnberg…

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© Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

EcoGaN und SiC-Power-Module

Rohm Semiconductor nutzt die Messe zur Vorstellung seiner neuen Leistungshalbleiter mit…

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© Rutronik

Rutronik

Komplette Bandbreite

Von neuen Halbleiterprodukten bis hin zu fortschrittlichen Power-Management-Systemen:…

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© Toshiba

Toshiba Electronics Europe

Elektromobilität, Industrie, Energie und Infrastruktur

Dieses Jahr nutzt Toshiba Electronics Europe die PCIM zur Vorstellung einer Kombination…

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© Navitas

Navitas Semiconductor

Hochzuverlässige Leistungshalbleiter

Mit dem »Planet Navitas« zeigt Navitas Semiconductor an seinem Messestand auf der PCIM…

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© Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor

Mehr als 20-jährige Zusammenarbeit

Taiwan Semiconductor und Schukat electronic - ein bewährtes Team.

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© Sanan

Sanan Semiconductor

Fokus auf die Automobilindustrie

Auf der PCIM stellt Sanan Semiconductor eine ganze Reihe AEC-Q101-zertifizierter Neuheiten…

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© Zestron

Zestron

Leistungs- und Signalelektronik für HV und E-Mobility

Wer sich über Zuverlässigkeit von Leistungs- und Signalelektronik insbesondere im…

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