Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Vorteile eines temperaturbeständigen R^on von…

Der DioMOS in der Anwendung

Beim DioMOS handelt es sich um einen SiC-MOSFET, der auch als antiparallele Diode funktioniert. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand bei höheren Temperaturen aus und kann auch in Parallelschaltung ohne thermische Instabilität…

Infineon Technologies

Neue IGBTs für PV-Wechselrichter und USVs

Die Mitglieder der neuen 5-S5-IGBT-Familie hat Infineon speziell für die…

Packaging

Stacked-MOSFET steigern Effizienz und Leistungsdichte

Angesichts der wachsenden Anforderungen an den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte liegt…

Infineon Tch nologies

Neue IGBTs für PV-Wechselrichter und USVs

Die Mitglieder der neuen 5-S5-IGBT-Familie hat Infineon speziell für die…

IGBT-Treiber und Leistungsbrücken

Modulare Umrichterentwicklung

Für die meisten Antriebslösungen ist eine vielfältige Auswahl von Umrichtern am Markt…

Close cooperation of Trumpf Laser with…

Trumpf strengthens laser diode engineering

The laser manufacturer Trumpf has opened a new subsidiary for the advance engineering of…

Rohm Semiconductor setzt auf Industrie und Europa

80-V-DC/DC-Abwärtswandler

Für Eingangsspannungen von 12 bis 76 V und einen Ausgangsstrom von 3 A hat Rohm…

STMicroelectronics

1500-V-Superjunction-MOSFET vorgestellt

Mit der Serie »MDmesh K5« hat STMicroelectronics Superjunction-Leistungs-MOSFETs mit 1500…

Leistungselektronik

Höherer Wirkungsgrad dank Galliumnitrid

Vor zwei Jahren wurden Stromversorgungen für Server vorgestellt, die einen…

Wide-Bandgap-Materialien

GaN gibt Gas

In den letzten Jahren sind GaN-Transistoren für kompakte, energieeffiziente…