Produkt

Neue 1200-V-IGBT-Generation von Infineon

Erster Trenchstop-IGBT auf 300-mm-Wafer

Mit dem Trenchstop IGBT6 bringt Infineon eine neue 1200-V-IGBT-Generation auf den Markt. Als erster diskreter IGBT wird das Bauteil mit Diode auf einem 300-mm-Wafer produziert.

KW 30

Durch die Woche – in 99 Sekunden

Wasser auf dem Mars und Sommer in Deutschland. Doch für die Elektronik-Industrie gibt es…

Secure Authenticator DS28E83 DeepCover

Schutz von Daten medizinischer Geräte in rauen Umgebungen

Der Secure Authenticator DS28E83 DeepCover von Maxim Integrated erhöht die…

Paul Scherrer Institute PSI

With X-Rays to a Better Understanding of GaN HEMTs

GaN HEMTs offer considerable advantages over present-day RF transistors. Yet many…

Quartalszahlen

Texas Instruments steigert Gewinn und Umsatz kräftig

Texas Instruments hat eine Woche nach dem unerwarteten Rücktritt seines Vorstandschefs…

Cree

Mit neuem CFO soll Wolfspeed wachsen

Anfang Juni verkündete der amtierende CFO Mike McDevitt seinen Abschied. Knapp zwei Monate…

Krisenvorsorge

Prophylaxe in der Mikroelektronikindustrie

Unternehmen können selbst dann in Schieflage geraten, wenn es in der Branche grundsätzlich…

United Silicon Carbide

SiC-Kaskoden als Drop-in-Ersatz für MOSFETs und IGBTs

Hybride SiC-Kaskoden verbinden die Vorteile von Wide-Bandgap-Halbleiterschaltern mit der…

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

Flosfia fertigt selbstsperrenden Galliumoxid-MOSFET

Galliumoxid gilt als vielversprechendes Material für die nächste Generation von…

GaN-Pionier EPC

»Jetzt können wir Low-Voltage-MOSFETs direkt attackieren«

Dr. Alex Lidow, der Erfinder des Trench-MOSFET, hat sich mit der Gründung des GaN-Pioniers…