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Leistungshalbleiter-ICs

Verbundprojekt »ForMikro-GoNext«

Galliumoxid für vertikale Leistungshalbleiter vorantreiben

Um Beta-Galliumoxid dreht sich das Verbundprojekt ForMikro-GoNext. Involviert sind das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, das Ferdinand-Braun-Institut, die Universität Bremen sowie die Industriepartner ABB und Aixtron. Es wird vom BMBF mit rund 2…

Leistungshalbleiter-Bauelemente-Trends

Technologien richtig einsetzen

Geht es um elektronisch getaktete Leistungswandler, steht eine große Auswahl von…

IHS Markit: Marktanalyste

Die Boom-Phase ist vorüber

Nach drei Jahren Wachstum rechnet das Marktforschungsinstitut IHS Markit Technology, das…

Tadanobu Fujiwara, President Rohm

»Ein sehr wichtiger Markt«

Tadanobu Fujiwara, President und Chairman of the Board bei Rohm, stellte sich den Fragen…

Taiwan Semiconductor

Trench-Schottky-Dioden im SMPC4.6U-Gehäuse

Die neuen AEC-Q101 qualifizierten 45-V- und 60-V- Trench-Schottky-Dioden stehen damit in…

Schukat und Taiwan Semiconductor

15 Jahre Distributionspartnerschaft

Ob Heizung in der Fahrzeug-Bordelektronik oder Beleuchtungssteuerung – es gibt kaum…

Siliziumkarbid-Halbleiter

ZF und Cree entwickeln den Elektroantrieb weiter

ZF Friedrichshafen und Cree, der US-amerikanische Hersteller für…

Leistungselektronik bei der IEDM

Europa als Innovationstreiber

Auf dem 65. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) finden sich zum Thema…

Charakterisierung von SiC-MOSFETs

Schalteigenschaften verstehen lernen

Schalttransienten und parasitäre Ströme können die exakte Messung wichtiger…

Bosch Enters SiC Production

Everything From a Single Source

As the world's first Tier 1, Bosch will manufacture SiC power semiconductors for its own…